Документация
BC847B,215, Биполярный транзистор NPN 45В 0.1А 0.225Вт SOT23
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
90 000 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт0,91 ₽
Сумма27 300,00 ₽
В наличии90 000 шт
от 30 000 штюрлицам и ИП
30 000 шт · Склад 12 · 27 300,00 ₽
Описание
Биполярный транзистор NPN BC847B,215 от NEX-NXP в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 45 В и ток коллектора до 100 мА при рассеиваемой мощности 0,225 Вт, граничная частота — от 100 МГц. Применяется в схемах усиления и коммутации малых сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Температура окружающей среды | -65C to +150C |
| Температура хранения | -65C to +150C |
| Cc max | 1.5pF |
| Ce typ | 11pF |
| Ft мин. | 100MHz |
| Макс. коэфф. шума | 10dB |
| Тип. коэфф. шума | 2dB |
| Серия | BC847/BC547 |
| Макс. HFE | 450 |
| Мин. HFE | 200 |
| Тип. hFE | 290 |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Корпус | SOT23 |
| Цоколевка | 1: основание; 2: эмиттер; 3: коллектор |
| Температура перехода Tj, макс. | 150C |
| I bm max | 100mA |
| I cm max | 200mA |
| Icbo макс. | 15nA |
| Макс. IEBO | 100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда | 500K/W |
| Компонент | BC847B,215 |
| Группа HFE | B |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Кол-во выводов | 3 |
| Макс. напряжение коллектор-база | 50V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 6V |
| Описание | NPN general-purpose transistor |
| Vbe max 2mA | 700mV |
| Vbe min 2mA | 580mV |
| Vbe typ 2mA | 660mV |
| Код маркировки | 1F* |
| Marking note | * = -: Hong Kong; p: Hong Kong; t: Malaysia; W: China |
| Vbe max 10mA | 770mV |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Cc conditions | IE=ie=0A; VCB=10V; f=1MHz |
| Ce conditions | IC=ic=0A; VEB=0.5V; f=1MHz |
| Условия Ft | IC=10mA; VCE=5V; f=100MHz |
| Icbo max 150C | 5uA |
| Условия NF | IC=200uA; VCE=5V; RS=2kOhm; f=1kHz; B=200Hz |
| Условия измерения hFE | VCE=5V; IC=2mA |
| PNP-комплемент | BC857 |
| Vbe conditions | VCE=5V |
| hFE при 10 мкА, тип. | 150 |
| Icbo conditions | VCB=30V; IE=0A |
| Iebo conditions | VEB=5V; IC=0A |
| Условия измерения общей мощности | Tamb <= 25C |
| Vbe sat typ 10mA | 700mV |
| Vce sat max 10mA | 200mV |
| Vce sat typ 10mA | 90mV |
| Vbe sat typ 100mA | 900mV |
| Vce sat max 100mA | 400mV |
| Vce sat typ 100mA | 200mV |
| Условия измерения Vce насыщения | IC=10mA; IB=0.5mA / IC=100mA; IB=5mA |
| Структура | NPN |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?