+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC846BS
Документация

Транзистор биполярный (BJTs) BC846BS

Артикул:149243
У поставщика
ПроизводительMERRYELC
Ед. изм.шт
У поставщиков
11 920 шт.
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1002,88
от 2002,76
от 4002,68
от 1 0002,65
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:11 920 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1002,88
от 2002,76
от 4002,68
от 1 0002,65
Описание

Транзистор биполярный BC846BS от MERRYELC — это сдвоенный NPN-ключ для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до 65 В и токе до 100 мА, рассеивает до 300 мВт. Корпус SOT-363, частота переключения до 200 МГц. Подходит для усиления и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
RoHStrue
ТипDual NPN Small Signal Transistor
Маркировка4Ft
КорпусSOT-363
Тип монтажаSMD
Размер катушки7"
Класс горючестиUL-94 V-0
Weight approx0.009g
Тип компонентаDual NPN Small Signal Transistor
Предельные значения{ "junction_temperature_tj": "150°C", "storage_temperature_tstg": "-55 to +150°C", "emitter_base_voltage_vebo": "6V", "collector_base_voltage_vcbo": "80V", "total_device_dissipation_pc": "300mW", "collector_emitter_voltage_vceo": "65V", "collector_current_continuous_ic": "100mA" }
Mechanical data{ "weight": "0.009g", "packing": "7\" reel, 3000 pcs/reel (inner box 30000, outer carton 120000)", "terminals": "Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102" }
Terminals finishTin plated
Inner box quantity30000
Класс горючестиUL-94 V-0
Solderable standardsJ-STD-002, JESD22-B102
Частота перехода200MHz
Макс. ток коллектора100mA
Outer carton quantity120000
Packing quantity reel3000
Макс. коэффициент усиления по току450
Hfe мин.200
Power dissipation total300mW
Напряжение эмиттер-база макс.6V
Макс. темп. перехода150°C
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Напряжение коллектор-база макс.80V
Электрические характеристики{ "dc_current_gain_hfe": { "max": 450, "min": 200, "conditions": "VCE=5V, IC=2mA" }, "transition_frequency_ft": { "min": "200MHz", "conditions": "VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz" }, "base_emitter_voltage_vbe": { "max": "0.7V", "min": "0.58V", "typical": "0.665V", "conditions": "VCE=5V, IC=2mA" }, "collector_cutoff_current_icbo": { "max": "15nA", "conditions": "VCB=30V, IB=0" }, "collector_cutoff_current_iebo": { "max": "100nA", "conditions": "VEB=5V, IC=0" }, "emitter_base_breakdown_voltage_vbr_ebo": { "min": "6V", "conditions": "IE=10μA, IC=0" }, "base_emitter_saturation_voltage_vbe_sat": [ { "max": "0.7V", "conditions": "IC=10mA, IB=0.5mA" }, { "max": "0.9V", "conditions": "IC=100mA, IB=5mA" } ], "collector_base_breakdown_voltage_vbr_cbo": { "min": "80V", "conditions": "IC=10μA, IE=0" }, "collector_emitter_breakdown_voltage_vbr_ceo": { "min": "65V", "conditions": "IC=10mA, IB=0" }, "collector_emitter_saturation_voltage_vce_sat": [ { "max": "0.25V", "conditions": "IC=10mA, IB=0.5mA" }, { "max": "0.65V", "conditions": "IC=100mA, IB=5mA" } ] }
Base emitter voltage vbe max0.7V
Base emitter voltage vbe min0.58V
Base emitter voltage vbe typ0.665V
Макс. напр. К-Э65V
Dc current gain hfe conditionsVCE=5V, IC=2mA
Transition frequency conditionsVCE=5V, IC=10mA, f=100MHz
Collector cutoff current icbo max15nA
Collector cutoff current iebo max100nA
Мин. пробой эмиттер-база6V
Base emitter voltage vbe conditionsVCE=5V, IC=2mA
Мин. напряжение пробоя коллектор-база80V
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер65V
Base emitter saturation voltage vbe sat 10.7V
Base emitter saturation voltage vbe sat 20.9V
Collector emitter saturation voltage vce sat 10.25V
Collector emitter saturation voltage vce sat 20.65V
Base emitter saturation voltage vbe sat 1 conditionsIC=10mA, IB=0.5mA
Base emitter saturation voltage vbe sat 2 conditionsIC=100mA, IB=5mA
Collector emitter saturation voltage vce sat 1 conditionsIC=10mA, IB=0.5mA
Collector emitter saturation voltage vce sat 2 conditionsIC=100mA, IB=5mA