Документация
Транзистор BC846BLT1G
У поставщика
У поставщиков
201 076 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:118 576 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 224 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 1 462 | 2,61 |
| от 3 000 | 2,28 |
| от 6 000 | 2,01 |
| от 12 000 | 1,86 |
Склад 15
В наличии:82 500 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 500 | 1,97 |
Описание
Транзистор BC846BLT1G от ON Semiconductor — кремниевый NPN-прибор общего назначения. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитан на работу в широком диапазоне температур от -55 до +150°C. Отличается низким уровнем шума (10 дБ) и высокой стойкостью к электростатическим разрядам (более 400 В). Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz |
| Корпус | 318 |
| RoHS | Да |
| Тип | NPN Silicon General Purpose Transistor |
| Стиль | 6 |
| ESD (мм) | >400V |
| Nf max | 10dB |
| Цоколевка | 1: Base; 2: Emitter; 3: Collector |
| Серия | BC846ALT1G Series |
| Макс. Tj | +150°C |
| ЭСР HBM | >4000V |
| Маркировка | XX M |
| Корпус | SOT-23 |
| Без свинца | Да |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80V |
| Vbr ceo | 65V |
| Vbr ces | 80V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6.0V |
| Aec q101 | Да |
| Cobo max | 4.5pF |
| Icbo макс. | 15nA |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| VCBO макс. | 80V |
| Vceo макс. | 65V |
| Vebo макс. | 6.0V |
| Компонент | BC846BLT1G |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Rthja fr5 | 556°C/W |
| Pd fr5 25c | 225mW |
| Tstg range | -55°C to +150°C |
| Описание | General Purpose NPN Silicon Transistor |
| Артикул | BC846BLT1G |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Ic continuous | 100mA |
| Icbo max 150c | 5.0µA |
| Pd derate fr5 | 1.8mW/°C |
| Rthja alumina | 417°C/W |
| Pd alumina 25c | 300mW |
| Соотв. RoHS | Да |
| Noise figure nf | 10dB |
| Pd derate alumina | 2.4mW/°C |
| AEC-Q101 | Да |
| Hfe max ic2ma vce5v | 450 |
| Hfe min ic2ma vce5v | 200 |
| Hfe min ic10ua vce5v | 150 |
| Vbe sat ic100ma ib5ma | 0.9V |
| Vce sat ic100ma ib5ma | 0.6V |
| Vbe on ic2ma vce5v max | 700mV |
| Vbe on ic2ma vce5v min | 580mV |
| Vbe on ic2ma vce5v typ | 660mV |
| Vbe sat ic10ma ib0.5ma | 0.7V |
| Vce sat ic10ma ib0.5ma | 0.25V |
| Output capacitance cobo | 4.5pF |
| Vbe on ic10ma vce5v max | 770mV |
| Esd rating machine model | >400V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6.0V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Derate above 25c fr5 board | 1.8mW/°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 80V |
| Esd rating human body model | >4000V |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 15nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 65V |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Current gain bandwidth product ft | 100MHz |
| Dc current gain hfe at 10ua vce 5v | 150 |
| Derate above 25c alumina substrate | 2.4mW/°C |
| Total device dissipation fr5 board | 225mW |
| Collector cutoff current icbo at 150c | 5.0µA |
| Dc current gain hfe at 2ma vce 5v max | 450 |
| Dc current gain hfe at 2ma vce 5v min | 200 |
| Dc current gain hfe at 2ma vce 5v typ | 290 |
| Breakdown voltage emitter base vbr ebo | 6.0V |
| Breakdown voltage collector base vbr cbo | 80V |
| Total device dissipation alumina substrate | 300mW |
| Breakdown voltage collector emitter vbr ceo | 65V |
| Base emitter voltage vbe on at 2ma vce 5v max | 700mV |
| Base emitter voltage vbe on at 2ma vce 5v min | 580mV |
| Base emitter voltage vbe on at 2ma vce 5v typ | 660mV |
| Base emitter voltage vbe on at 10ma vce 5v max | 770mV |
| Thermal resistance junction to ambient fr5 board | 556°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient alumina substrate | 417°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat at 100ma ib 5ma typ | 0.9V |
| Base emitter saturation voltage vbe sat at 10ma ib 0.5ma typ | 0.7V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat at 100ma ib 5ma | 0.6V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat at 10ma ib 0.5ma | 0.25V |
| Тип транзистора | NPN Silicon General Purpose Transistor |
Заметили ошибку в описании или параметрах?