Документация
Транзистор BC846BLT1G
У поставщика
У поставщиков
84 500 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:84 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 500 | 2,08 |
Описание
Транзистор BC846BLT1G от ON Semiconductor — кремниевый NPN-прибор общего назначения. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитан на работу в широком диапазоне температур от -55 до +150°C. Отличается низким уровнем шума (10 дБ) и высокой стойкостью к электростатическим разрядам (более 400 В). Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | 318 |
| Тип | NPN Silicon General Purpose Transistor |
| Стиль | 6 |
| Маркировка | XX M |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | true |
| Артикул | BC846BLT1G |
| Без галогенов | true |
| PPAP | true |
| Соотв. RoHS | true |
| Noise figure nf | 10dB |
| AEC-Q101 | true |
| Output capacitance cobo | 4.5pF |
| Esd rating machine model | >400V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6.0V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Derate above 25c fr5 board | 1.8mW/°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 80V |
| Esd rating human body model | >4000V |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 15nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 65V |
| Collector current continuous ic | 100mA |
| Current gain bandwidth product ft | 100MHz |
| Dc current gain hfe at 10ua vce 5v | 150 |
| Derate above 25c alumina substrate | 2.4mW/°C |
| Total device dissipation fr5 board | 225mW |
| Collector cutoff current icbo at 150c | 5.0µA |
| Dc current gain hfe at 2ma vce 5v max | 450 |
| Dc current gain hfe at 2ma vce 5v min | 200 |
| Dc current gain hfe at 2ma vce 5v typ | 290 |
| Breakdown voltage emitter base vbr ebo | 6.0V |
| Breakdown voltage collector base vbr cbo | 80V |
| Total device dissipation alumina substrate | 300mW |
| Breakdown voltage collector emitter vbr ceo | 65V |
| Base emitter voltage vbe on at 2ma vce 5v max | 700mV |
| Base emitter voltage vbe on at 2ma vce 5v min | 580mV |
| Base emitter voltage vbe on at 2ma vce 5v typ | 660mV |
| Base emitter voltage vbe on at 10ma vce 5v max | 770mV |
| Thermal resistance junction to ambient fr5 board | 556°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient alumina substrate | 417°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat at 100ma ib 5ma typ | 0.9V |
| Base emitter saturation voltage vbe sat at 10ma ib 0.5ma typ | 0.7V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat at 100ma ib 5ma | 0.6V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat at 10ma ib 0.5ma | 0.25V |