Документация
BC846B SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 310633)
У поставщика
ПроизводительTRR
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
99 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:99 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,38 |
Описание
BC846B — биполярный NPN-транзистор производства TRR в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для применения в цепях общего назначения, коммутации и усиления сигналов. Отличается низким уровнем шума и высокой надёжностью, что делает его подходящим для современной портативной и промышленной электроники.
Технические характеристики
| Тип | NPN Bipolar Junction Transistor |
| Тип | NPN |
| Ток, А | 100 мА |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Ideally suited for automatic insertion, For switching and AF amplifier applications |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Мощность, Вт | 250 |
| Ft test conditions | VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Размеры упаковки | A max: 3.1; A min: 2.7; B max: 1.5; B min: 1.1; C max: 1.1; C min: 0.9; D max: 0.5; D min: 0.3; E max: 0.48; E min: 0.35; G max: 2; G min: 1.8; H max: 0.1; H min: 0.02; J max: 0.15; J min: 0.05; K max: 2.6; K min: 2.2 |
| Cob test conditions | VCB=10V, f=1MHz |
| Hfe test conditions | VCE=5V, IC=2mA |
| Soldering footprint | Pad width: 0.9mm; Pad length: 0.8mm; Pad spacing: 0.95mm; Общая ширина: 2.0mm |
| Iebo test conditions | VEB=5V |
| Напряжение, В | 65 В |
| Vbesat test conditions | IC=100mA, IB=5mA |
| Vcesat test conditions | IC=100mA, IB=5mA |
| Макс. коэффициент усиления по току | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Icbo test conditions BC846 | VCB=70V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 80V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 65V |
| Pк | 200mW |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 0.1A |
| Emitter cutoff current iebo max | 0.1μA |
| Выходная ёмкость коллектора Cob | 4.5pF |
| Collector cutoff current icbo max | 0.1μA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat | 1.1V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?