Документация
Транзистор биполярный (BJTs) BC846B
У поставщика
У поставщиков
428 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,50 |
| от 800 | 0,46 |
| от 2 000 | 0,45 |
| от 4 000 | 0,44 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:428 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,50 |
| от 800 | 0,46 |
| от 2 000 | 0,45 |
| от 4 000 | 0,44 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор BC846B от MERRYELC. Компонент рассчитан на ток до 100 мА, напряжение до 80 В и мощность 300 мВт, выпускается в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации сигналов и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Мощность, Вт | 300 mW |
| Ток, А | 100 mA |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение, В | 80 V |
| Тип монтажа | SMD |
| Вх. емкость | 9 pF |
| Complementary pair | BC856B |
| Ft test conditions | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Выходная емкость | 6 pF |
| Cob test conditions | Vcb=10V, f=1MHz |
| Макс. коэф. усиления DC | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Hfe test conditions | Vce=5V, Ic=2mA |
| Напряжение эмиттер-база | 6 V |
| Icbo test conditions | Vcb=70V, Ie=0 |
| Iceo test conditions | Vce=60V, Ib=0 |
| Iebo test conditions | Veb=5V, Ic=0 |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Напряжение коллектор-база | 80 V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 700 mV |
| Макс. коэффициент усиления по току | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Vbe sat test conditions | Ic=100mA, Ib=5mA |
| Vce sat test conditions | Ic=100mA, Ib=5mA |
| Storage temperature tstg | -55°C to +150°C |
| Тепловое сопр. Rthja | 625°C/W |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 80V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100nA |
| Ток отсечки коллектор-база | 15 nA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 100nA |
| Ток отсечки коллектора ICEO | 100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 65V |
| Pк | 200mW |
| Collector current continuous ic | 100mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80 V |
| Collector output capacitance cob | 4.5pF |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | 1.10V |
| Emitter base breakdown voltage v br ebo | 6V |
| Collector base breakdown voltage v br cbo | 80V |
| Collector emitter breakdown voltage v br ceo | 65V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 0.50V |