Документация
Транзистор BC817DPN
В наличии
На своём складе
15 000 шт.
Норм. уп.: 1
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 1,93 |
| от 200 | 1,85 |
| от 400 | 1,80 |
| от 1 000 | 1,78 |
Описание
Транзистор BC817DPN от MERRYELC — это сдвоенный NPN/PNP биполярный транзистор в компактном корпусе SOT23-6L. Выдерживает ток коллектора до 0,5 А и напряжение до 45 В, рассеивая мощность до 370 мВт. Подходит для коммутации сигналов и усилительных каскадов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Примечания | Pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 2.0% |
| Маркировка | 8017 |
| Корпус | SOT23-6L |
| Упаковка | Tape & Reel 3000pcs/Reel |
| Npn ratings | Макс. ток коллектора: 0.5A; Макс. Pc: 370mW; Ibm max: 200mA; Icm max: 1A; VCBO макс.: 50V; Vceo макс.: 45V; Vebo макс.: 5V |
| Артикул | BC817DPN |
| Pnp ratings | Макс. ток коллектора: -0.5A; Макс. Pc: 370mW; Ibm max: -200mA; Icm max: -1A; VCBO макс.: -50V; Vceo макс.: -45V; Vebo макс.: -5V |
| Конфигурация | Dual transistor (NPN pins 1,2,6 and PNP pins 3,4,5) |
| Размеры мм | A: 0.30-0.50; B: 1.30-1.80; C: 2.20-3.20; D: 1.90; G: 0.95; H: 2.70-3.10; J: 0.05-0.15; K: 0.75-1.30; L: 0.30-0.60; M: 0.08-0.22 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип компонента | Transistor |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | NPN/PNP |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. рабочая температура | +150°C |
| Мин. рабочая температура | -55°C |
| Тепловое сопротивление | 338°C/W |
| Чувствит. к влаге | Level 1 |
| Vbe temperature coeff | -2mV/°C |
| Halogen free available | Да |
| Общая рассеиваемая мощность | 600mW |
| Npn electrical characteristics | Cc: 5pF; Граничная частота fT: 100MHz; Напряжение база-эмиттер: 1.2V; Макс. HFE: 400; Мин. HFE: 160; Напряжение пробоя коллектор-база: 50V; Vbr ceo: 45V; Напряжение пробоя эмиттер-база: 5V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.7V; Icbo макс.: 100nA; Макс. IEBO: 100nA; hFE при IC=500 мА: 40; Icbo at 150c: 5µA |
| Pnp electrical characteristics | Cc: 9pF; Граничная частота fT: 80MHz; Напряжение база-эмиттер: -1.2V; Макс. HFE: 400; Мин. HFE: 160; Напряжение пробоя коллектор-база: -50V; Vbr ceo: -45V; Напряжение пробоя эмиттер-база: -5V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: -0.7V; Icbo макс.: -100nA; Макс. IEBO: -100nA; hFE при IC=500 мА: 40; Icbo at 150c: -5µA |
| Мощность, Вт | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?