Документация
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.2W
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
12 768 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,59 ₽
Сумма1 118,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии12 768 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 348 — 4,75 ₽ (−15%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 118,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 182,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 118,00 ₽
Описание
Биполярный NPN транзистор BC817-40W,115 от NEXPERIA. Рабочее напряжение до 45 В, ток коллектора 0,5 А, мощность рассеивания 0,2 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT323 (SC-70) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Компонент | BC817-40W,115 |
| Описание | NPN general-purpose transistor |
| Код маркировки | 6C% |
| PNP-комплемент | BC807-40W |
| Ток коллектора | 500mA |
| Пиковый ток базы | 200mA (single pulse; tp <= 1ms) |
| Коэфф. усиления по току hFE | 250-600 |
| Темп. перехода | 150C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Ёмкость коллектора | 3pF (typ) |
| Пиковый ток коллектора | 1A (single pulse; tp <= 1ms) |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW (standard footprint) |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. напряжение база-эмиттер | 1.2V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Диап. раб. темп. | -65 to 150C |
| Описание (англ.) | NPN 45V 0.5A |
| Dc current gain hfe condition | Vce=1V, Ic=100mA, T=25C, pulsed |
| Условия измерения Uбэ | Vce=1V, Ic=500mA, T=25C, pulsed |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Условия измерения ёмкости коллектора | Vcb=10V, Ie=0A, f=1MHz, T=25C |
| Total power dissipation large pad | 290mW (1 cm2 collector pad) |
| Dc current gain hfe low current min | 40 |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625K/W (standard footprint) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 700mV |
| Dc current gain hfe low current condition | Vce=1V, Ic=500mA, T=25C, pulsed |
| Thermal resistance junction ambient large pad | 431K/W (1 cm2 collector pad) |
| Условия напряжения насыщения КЭ | Ic=500mA, Ib=50mA, T=25C, pulsed |
Заметили ошибку в описании или параметрах?