Документация
BC817-40LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225W
У поставщика
ПроизводительONS
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
211 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт5,86 ₽
Сумма5,86 ₽
В наличии1 шт
юрлицам и ИП
1 шт · Склад 39 · 5,86 ₽
Описание
BC817-40LT1G — биполярный NPN-транзистор от ON Semiconductor. Рассчитан на напряжение 45 В и ток до 0,5 А, рассеиваемая мощность — 0,225 Вт. Выполнен в компактном SMD-корпусе, подходит для автоматизированного монтажа. Применяется в схемах коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | CASE 318 |
| Тип | Bipolar Transistor |
| Стиль | STYLE 6 |
| Цоколевка | 1=Base, 2=Emitter, 3=Collector |
| Маркировка | 6C |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Соответствие | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Макс. мощность | 300 mW |
| Описание | General Purpose NPN Silicon Transistor |
| Артикул | BC817-40LT1G |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип транзистора | NPN |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
| Коэфф. усиления по току hFE | 250-600 (IC=100mA, VCE=1V); 40 min (IC=500mA, VCE=1V) |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Частота перехода | 100MHz |
| Корпус по производителю | SOT-23-3 (TO-236) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2V max (IC=500mA, VCE=1V) |
| Выходная ёмкость (Cobo) | 10pF typ (VCB=10V, f=1MHz) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Снижение выше 25 °C на плате FR5 | 1.8mW/°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Рассеиваемая мощность, плата FR5 | 225mW |
| Непрерывный ток коллектора | 500mA |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 100nA max (VCB=20V); 5µA max (VCB=20V, TA=150°C) |
| Ток коллектора (Ic), макс. | 500 mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Граничная частота усиления | 100MHz min (IC=10mA, VCE=5V, f=100MHz) |
| Макс. ток отсечки коллектора | 100nA (ICBO) |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50V |
| Снижение выше 25 °C на алюминиевой подложке | 2.4mW/°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45V |
| Рассеиваемая мощность на алюминии | 300mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7V max (IC=500mA, IB=50mA) |
| Коэфф. усиления по току (hFE), мин. при Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, макс. | 45 V |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, плата FR5 | 556°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, алюминиевая подложка | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?