Документация
Транзистор BC817-40
У поставщика
У поставщиков
516 600 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт0,54 ₽
Сумма1 620,00 ₽
до минимума склада не хватает 1 380,00 ₽
В наличии516 600 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 3 000 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 1 620,00 ₽, не хватает 1 380,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
3 000 шт · Склад 29 · 1 620,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный BC817-40 от производителя RUME выполнен в компактном корпусе SOT-23. Это кремниевый NPN-транзистор, предназначенный для усиления и коммутации сигналов в цепях общего назначения. Отличается высоким коэффициентом усиления (группа 40) и подходит для поверхностного монтажа в компактных электронных устройствах.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz |
| Cob | 10pF |
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Макс. ток коллектора | 0.5A |
| Макс. Pc | 625mW |
| Макс. Tj | 150°C |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Ток, А | 500 мА |
| Макс. HFE | 600 |
| Мин. HFE | 250 |
| Маркировка | 6C |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. напряжение база-эмиттер | 1.2V |
| Ранг hFE | BC817-40 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Компонент | BC817-40 |
| Vbe нас. макс. | 1.2V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65V |
| Комплементарный аналог | BC807 (PNP) |
| Мощность, Вт | 250 |
| Ток коллектора | 0.5A |
| Классификация hFE | BC817-40 |
| Условия испытаний fT | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Условия измерения hFE | VCE=1V, IC=100mA |
| Напряжение база-эмиттер | 1.2V (Vce=1V, Ic=500mA) |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Напряжение, В | 45 В |
| Ёмкость коллектора | 10pF |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Ток отсечки эмиттера | 100nA |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Мощн. коллектора | 625mW |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.2V (max at Ic=500mA, Ib=50mA) |
| Условия hFE | Vce=1V, Ic=100mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65V (max at Ic=500mA, Ib=50mA) |
Аналоги
- BC817-40-(SOT-23) KLS
- BC817-40 SUNTAN
- BC817-40 YANGJIE
- BC817-40 SEMTECH
- BC817-40 NXP/NEXPERIA
Заметили ошибку в описании или параметрах?