+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Главная›Транзисторы›Транзисторы биполярные (BJTs)›BC817-40
BC817-40
Документация
Даташит

Транзистор BC817-40

Артикул:107053
В наличии
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
Ед. изм.шт
На своём складе
20 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
1 011 237 шт.
Норм. уп.: 900
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3000,84
от 8000,79
от 2 0000,77
от 4 0000,76
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:493 692 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 542 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,28
от 3 0001,01
от 6 0000,84
от 12 0000,71
от 24 0000,65
Склад 14
В наличии:349 391 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3 0000,83
Склад 39
В наличии:166 054 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,12
Склад 12
В наличии:2 100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 900
Минимальная партия: 9000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,04
от 9000,85
от 9 0000,72
Описание

Транзистор BC817-40 от HOTTECH — биполярный компонент в компактном корпусе SOT-23. Подходит для работы с нагрузками до 500 мА при напряжении до 45 В. Применяется в цепях управления, усилителях и ключах в бытовой и промышленной электронике.

Технические характеристики
ТипNPN
ESD (мм)400V
Ft мин.100MHz
Макс. ток коллектора0.5A
Pd макс.350mW
Вес0.008g
ЭСР HBM8000V
В упаковке3000
МаркировкаK6C
КорпусSOT-23
Vbe max1.2V
Aec q101Да
Ibm peak200mA
Icm peak1A
Тип монтажаSMD
VCBO макс.50V
Vceo макс.45V
Vebo макс.5V
C cbo max12pF
КомпонентBC817-40
Без свинцаДа
СоответствиеAEC-Q101
Размеры2.9mm x 1.3mm x 1.0mm (typical)
Pin config1: Base, 2: Emitter, 3: Collector
Диапазон температур-65 to +150°C
Описание45V NPN Small Signal Transistor in SOT23
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7V
Без галогеновДа
Код маркировкиK6C
Без сурьмыДа
Материал корпусаMolded Plastic, Green Molding Compound
Hfe min 300mA170
ПаяемостьMIL-STD-202, Method 208
Ширина ленты мм8
Соотв. RoHSДа
Hfe range 100mA250-600
Покрытие выводовMatte Tin Plated Leads
Тип транзистораNPN
Reel size inches7
Кол-во на катушке3000
Esd mm jedec classC
СтруктураNPN
Esd hbm jedec class3B
Ток коллектора Ic0.5A
Power dissipation pd350mW
Peak base current ibm200mA
Complementary pnp typeBC807
Suggested pad layout c2.0mm
Suggested pad layout x0.8mm
Suggested pad layout y0.9mm
Рейтинг горючести UL94V-0
Макс. коэффициент усиления по току600
Hfe мин.250
Suggested pad layout x11.35mm
Suggested pad layout y12.9mm
Напряжение база-эмиттер Vbe1.2V
Размер A корпуса, макс., мм0.51mm
Размер A корпуса, мин., мм0.37mm
Package dimensions a typ0.40mm
Размер B корпуса, макс., мм1.40mm
Размер B корпуса, мин., мм1.20mm
Package dimensions b typ1.30mm
Размер C корпуса, макс., мм2.50mm
Размер C корпуса, мин., мм2.30mm
Package dimensions c typ2.40mm
Package dimensions d max1.03mm
Package dimensions d min0.89mm
Package dimensions d typ0.915mm
Package dimensions f max0.60mm
Package dimensions f min0.45mm
Package dimensions f typ0.535mm
Package dimensions g max2.05mm
Package dimensions g min1.78mm
Package dimensions g typ1.83mm
Package dimensions h max3.00mm
Package dimensions h min2.80mm
Package dimensions h typ2.90mm
Package dimensions j max0.10mm
Package dimensions j min0.013mm
Package dimensions j typ0.05mm
Package dimensions k max1.00mm
Package dimensions k min0.890mm
Package dimensions k typ0.975mm
Package dimensions l max0.61mm
Package dimensions l min0.45mm
Package dimensions l typ0.55mm
Package dimensions m max0.150mm
Package dimensions m min0.085mm
Package dimensions m typ0.110mm
Напряжение эмиттер-база Vebo5.0V
Gain bandwidth product ft100MHz
Package dimensions k1 max1.10mm
Package dimensions k1 min0.903mm
Package dimensions k1 typ1.025mm
Package dimensions l1 max0.55mm
Package dimensions l1 min0.25mm
Package dimensions l1 typ0.40mm
Уровень чувствительности к влагеLevel 1 per J-STD-020
Peak collector current icm1.0A
Power dissipation pd note5310mW
Power dissipation pd note6350mW
Напряжение коллектор-база Vcbo50V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo45V
Package dimensions a angle max8°
Package dimensions a angle min0°
Collector base capacitance ccbo12pF
Dc current gain hfe min ic300ma170
Emitter base cutoff current iebo100nA
Thermal resistance junction lead350°C/W
Dc current gain hfe test conditionVCE = 1.0V, IC = 100mA
Operating storage temperature range-65 to +150°C
Тепловое сопротивление переход-среда357°C/W
Emitter base breakdown voltage bvebo5V
Collector emitter cutoff current ices100nA
Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo50V
Base emitter voltage vbe test conditionVCE = 1.0V, IC = 300mA
Напр-е к-э (Uкэо макс),В45
Gain bandwidth product ft test conditionVCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 50MHz
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo45V
Collector emitter cutoff current ices 150c5.0µA
Dc current gain hfe test condition ic300maVCE = 1.0V, IC = 300mA
Thermal resistance junction to leads rthjl350°C/W
Коэф-т передачи тока hfe 250
Напряжение насыщения КЭ0.7V
Тепловое сопротивление переход-среда357°C/W
Collector base capacitance ccbo test conditionVCB = 10V, f = 1.0MHz
Thermal resistance junction to ambient rthja note5403°C/W
Collector emitter saturation voltage vcesat test conditionIC = 500mA, IB = 50mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5

Заметили ошибку в описании или параметрах?