Документация
BC817-40,215 SOT-23 транзистор биполярный NXP (арт. 011173)
У поставщика
ПроизводительNXP
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 745 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:2 745 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,90 |
Описание
BC817-40,215 — биполярный NPN-транзистор от NXP в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для усиления и коммутации сигналов в цепях общего назначения. Отличается высоким коэффициентом усиления (группа «40») и низким напряжением насыщения, что обеспечивает эффективную работу в маломощных каскадах. Широко применяется в портативной электронике, драйверах нагрузки и интерфейсных схемах.
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Вес | 0.008g (approx) |
| Тип | NPN |
| Ток | 500 мА |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | High current, Low voltage |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Применение | General purpose switching and amplification |
| Код маркировки | 6C* |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 250 мВт |
| Complementary pair | BC807 |
| Макс. коэф. усиления DC | 600 |
| Hfe мин. | 250 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение | 45 В |
| Base current peak max | 200mA |
| Collector capacitance | 3pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250mW |
| Base emitter voltage max | 1.2V |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Dc current gain condition | Ic=100mA, Vce=1V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Collector current peak max | 1A |
| Диап. раб. темп. | -65 to 150°C |
| Макс. напр. К-Э | 45V |
| Base emitter voltage condition | Ic=500mA, Vce=1V |
| Transition frequency condition | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Collector capacitance condition | Vcb=10V, f=1MHz |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 100nA |
| Макс. пост. ток коллектора | 500mA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA |
| Emitter base cutoff current condition | Veb=5V |
| Термосопротивление переход-среда | 500 K/W |
| Collector base cutoff current condition | Vcb=20V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 700mV |
| Collector base cutoff current high temp max | 5µA |
| Collector emitter saturation voltage condition | Ic=500mA, Ib=50mA |
| Collector base cutoff current high temp condition | Vcb=20V, Tj=150°C |