Документация
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
27 430 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,05 ₽
Сумма701,80 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии27 430 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 250,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 116 штюрлицам и ИП
от 330 — 5,15 ₽ (−15%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 701,80 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 548,20 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
116 шт · Склад 13 · 701,80 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,5 А, мощность рассеивания — 0,225 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для использования в автомобильной электронике и промышленных цепях управления.
Технические характеристики
| Маркировка | 6B |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable (S and NSV prefixes), Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BC817-25LT1G |
| Описание | General Purpose NPN Silicon Transistor |
| Предельные значения | Напряжение эмиттер-база Vebo: 5V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 50V; Непрерывный ток коллектора: 500mA; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 45V; Диапазон температур перехода и хранения: -65 to +150°C |
| Тепл. хар-ки | Derate fr5 above 25c: 1.8mW/°C; Derate alumina above 25c: 2.4mW/°C; Power dissipation alumina ta25: 300mW; Power dissipation fr5 board ta25: 225mW; Тепловое сопротивление переход-среда FR5: 556°C/W; Тепловое сопротивление переход-среда (Al2O3): 417°C/W |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Электрические характеристики | Коэфф. усиления по току hFE: 160-400 (IC=100mA, VCE=1V); Выходная ёмкость (Cobo): 10pF typ (VCB=10V, f=1MHz); Dc current gain hfe ic500: 40 min (IC=500mA, VCE=1V); Ток отсечки коллектора Icbo: 100nA max (VCB=20V), 5µA max (VCB=20V, TA=150°C); Base emitter on voltage vbe on: 1.2V max (IC=500mA, VCE=1V); Граничная частота усиления (ft): 100MHz min (IC=10mA, VCE=5V, f=100MHz); Напряжение пробоя эмиттер-база, В: 5V min (IE=1µA); Напряжение пробоя коллектор-база, В: 50V min (VEB=0, IC=10µA); Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 45V min (IC=10mA); Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat): 0.7V max (IC=500mA, IB=50mA) |
| Описание (англ.) | NPN 45V 0.5A Automotive |
Заметили ошибку в описании или параметрах?