Документация
Транзистор BC817-16LT1G
У поставщика
У поставщиков
2 643 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 643 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 170 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,06 |
| от 739 | 3,42 |
| от 1 478 | 2,91 |
| от 3 000 | 2,53 |
| от 6 000 | 2,29 |
Описание
Транзистор BC817-16LT1G от ON Semiconductor — биполярный NPN-компонент. Рассчитан на ток до 500 мА и напряжение до 45 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для схем коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | CASE 318 |
| Тип | NPN |
| Стиль | STYLE 6 |
| Маркировка | 6A |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Описание | General Purpose NPN Silicon Transistor |
| Артикул | BC817-16LT1G |
| Предельные значения | Напряжение эмиттер-база Vebo: 5V; Derate above 25c fr5 board: 1.8mW/°C; Напряжение коллектор-база Vcbo: 50V; Непрерывный ток коллектора: 500mA; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 45V; Derate above 25c alumina substrate: 2.4mW/°C; Junction and storage temperature range: -65 to +150°C; Total device dissipation fr5 board ta 25c: 225mW; Thermal resistance junction to ambient fr5 board: 556°C/W; Total device dissipation alumina substrate ta 25c: 300mW; Thermal resistance junction to ambient alumina substrate: 417°C/W |
| Доп. примечания | S and NSV prefixes for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable |
| Ordering and shipping | 3000 / Tape & Reel |
| Электрические характеристики | On characteristics: Base emitter on voltage vbe on: 1.2V max; Dc current gain hfe ic 100ma vce 1v: 100 to 250; Dc current gain hfe ic 500ma vce 1v: 40 min; Collector emitter saturation voltage vce sat: 0.7V max; Off characteristics: Collector cutoff current icbo vcb 20v: 100nA max; Emitter base breakdown voltage vbr ebo: 5V min; Collector emitter breakdown voltage vbr ceo: 45V min; Collector emitter breakdown voltage vbr ces: 50V min; Collector cutoff current icbo vcb 20v ta 150c: 5uA max; Small signal characteristics: Output capacitance cobo: 10pF typ; Current gain bandwidth product ft: 100MHz min |
Заметили ошибку в описании или параметрах?