+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC807-40LT1G
Документация

BC807-40LT1G, Биполярный транзистор

Артикул:1206922
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
890 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:890 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 112,42
от 1006,87
от 1 0002,97
Технические характеристики
ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
Ft мин.100MHz
Макс. ток коллектора-500mA
Cob typ10pF
КорпусSOT-23
Icbo макс.-100nA
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
VCBO макс.-50V
Vceo макс.-45V
Vebo макс.-5.0V
Без свинцаДа
Derate fr51.8mW/°C
Vbe on max-1.2V
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.7V
Код маркировки5C
Pd fr5 board225mW
V br ceo min-45V
V br ces min-50V
V br ebo min-5.0V
КорпусSOT-23-3
Derate alumina2.4mW/°C
Соотв. RoHSДа
Hfe at 100mA max600
Hfe at 100mA min250
Hfe at 500mA min40
Icbo max at 150c-5.0µA
АвтомобильныйНет
Pd alumina substrate300mW
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Макс. раб. темп.+150°C
Мин. раб. темп.-55°C
Thermal resistance ja fr5556°C/W
Thermal resistance ja alumina417°C/W