+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC807-40LT1G
Документация

BC807-40LT1G, Биполярный транзистор

Артикул:1206922
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
890 шт.
Норм. уп.: 100
Описание

BC807-40LT1G — это PNP биполярный транзистор от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на ток до -500 мА и напряжение до -45 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
Ft мин.100MHz
Макс. ток коллектора-500mA
Тип. ёмкость коллектор-база10pF
КорпусSOT-23
Icbo макс.-100nA
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
VCBO макс.-50V
Vceo макс.-45V
Vebo макс.-5.0V
Без свинцаДа
Derate fr51.8mW/°C
Макс. напряжение база-эмиттер (вкл.)-1.2V
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.7V
Код маркировки5C
Pd fr5 board225mW
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, мин.-45V
V br ces min-50V
Мин. напряжение пробоя эмиттер-база-5.0V
КорпусSOT-23-3
Derate alumina2.4mW/°C
Соотв. RoHSДа
Hfe at 100mA max600
Hfe at 100mA min250
Hfe at 500mA min40
Icbo max at 150c-5.0µA
ОписаниеBipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
АвтомобильныйНет
Pd alumina substrate300mW
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Макс. раб. темп.+150°C
Мин. раб. темп.-55°C
Тепловое сопротивление кристалл-среда, FR5556°C/W
Тепловое сопротивление кристалл-среда, оксид алюминия417°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?