Документация
Транзистор биполярный PNP, 45 В, 0,5 А, 0,625 Вт. SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
110 892 шт.
Норм. уп.: 900
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1,69 ₽
Сумма692,90 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии108 292 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 250,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 410 штюрлицам и ИП
от 3 000 — 1,37 ₽ (−19%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 692,90 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 557,10 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
410 шт · Склад 13 · 692,90 ₽
Описание
Транзистор биполярный PNP от HOTTECH. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,5 А, мощность рассеивания — 0,625 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz |
| Микросхема | -500mA |
| Pc | 625mW |
| Температура перехода | 150°C |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | -0.1uA |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | -0.1uA |
| Температура хранения | -55°C ~ +150°C |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -6V |
| Макс. ток коллектора | -500mA |
| Макс. Pc | 625mW |
| Rth JA | 417°C/W |
| Макс. Tj | 150°C |
| Вес | 0.008g |
| Макс. HFE | 600 |
| Мин. HFE | 250 |
| Маркировка | 5C |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | -1.2V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.65V |
| hFE1, макс. | 500 |
| hFE1, мин. | 125 |
| Мин. HFE2 | 40 |
| Ранг hFE | BC807-40 |
| Тип монтажа | SMD |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -50V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -6V |
| VCBO макс. | -50V |
| Vceo макс. | -45V |
| Vebo макс. | -6V |
| Компонент | BC807-40 |
| Диапазон hFE | 250-600 |
| Лента-катушка | A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; D: Ø178mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: Ø1.50mm; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Тип: SOT-23; Допуск: ±0.1mm; Reel option: 7" DIA; Reel tolerance: ±2, ±1 |
| Диапазон температуры хранения | -55 to +150°C |
| Vbe нас. макс. | -1.2V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.65V |
| Условия измерения граничной частоты | Vce=-5V, Ic=-10mA, f=30MHz |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL94V-0 |
| Комплементарный аналог | BC817 |
| Размеры мм | A max: 1.15; A min: 0.9; D max: 3; D min: 2.8; E max: 1.4; E min: 1.2; L ref: 0.55; B max: 0.5; B min: 0.3; C max: 0.15; C min: 0.08; E typ: 0.95; A1 max: 0.1; A1 min: 0; A2 max: 1.05; A2 min: 0.9; E1 max: 2.55; E1 min: 2.25; L1 max: 0.5; L1 min: 0.3; E1 max: 2; E1 min: 1.8; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Условия Ft | VCE=-5V, IC=-10mA, f=30MHz |
| Условия измерения hFE | Vce=-1V, Ic=-100mA |
| Диапазон группы hFE | 250-600 |
| Размеры, дюймы | A max: 0.045; A min: 0.035; D max: 0.118; D min: 0.11; E max: 0.055; E min: 0.047; L ref: 0.022; B max: 0.02; B min: 0.012; C max: 0.006; C min: 0.003; E typ: 0.037; A1 max: 0.004; A1 min: 0; A2 max: 0.041; A2 min: 0.035; E1 max: 0.1; E1 min: 0.089; L1 max: 0.02; L1 min: 0.012; E1 max: 0.079; E1 min: 0.071; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Hfe1 conditions | VCE=-1V, IC=-100mA |
| Hfe2 conditions | VCE=-1V, IC=-500mA |
| Размеры упаковки | Высота: 0.9-1.15mm; Размах выводов: 1.8-2.0mm; Ширина корпуса: 2.25-2.55mm; Шаг выводов: 0.95mm typ; Ширина вывода: 0.3-0.5mm; Длина корпуса: 2.8-3.0mm; Толщина вывода: 0.08-0.15mm |
| Условия напряжения насыщения база-эмиттер | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Условия измерения Vce насыщения | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Структура | PNP |
| Classification rank | BC807-40 |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | Bipolar Transistor PNP 45 V 0.5 A |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?