Документация
Транзистор BC807-25LT1G
У поставщика
У поставщиков
4 940 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,94 ₽
Сумма693,84 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 940 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 250,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 236 штюрлицам и ИП
от 625 — 2,40 ₽ (−18%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 693,84 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 556,16 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
236 шт · Склад 13 · 693,84 ₽
Описание
Транзистор BC807-25LT1G от ON Semiconductor — это кремниевый PNP-биполярный транзистор средней мощности. Предназначен для применения в схемах коммутации и усиления сигналов, отличается низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер. Выпускается в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, что обеспечивает экономию места на печатной плате.
Технические характеристики
| Тип | PNP Silicon Transistor |
| Маркировка | 5B1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape & Reel (3000 pcs per reel) |
| Покрытие выводов | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Derate fr5 board | 1.8 mW/°C |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP |
| Автомобильный | AEC-Q101 (S prefix) |
| Макс. ток коллектора | -500mA |
| Макс. коэффициент усиления по току | 400 |
| Hfe мин. | 160 |
| Derate alumina substrate | 2.4 mW/°C |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5.0V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V |
| Breakdown voltage ces min | -50V |
| Пробивное напряжение EBO мин. | -5.0V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -50V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Тип. выходная емкость | 10 pF |
| Напряжение база-эмиттер, макс. | -1.2V |
| Рассеиваемая мощность, плата FR5 | 225mW |
| Макс. ток отсечки коллектора | -100nA |
| Макс. напр. К-Э | -45V |
| Dc current gain hfe at 500ma min | 40 |
| Collector cutoff current 150c max | -5.0µA |
| Мин. граничная частота усиления | 100 MHz |
| Рассеиваемая мощность на алюминии | 300mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -0.7V |
| Тепловое сопротивление переход-среда FR5 | 556 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда (Al2O3) | 417 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?