+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC807-16LT1G
Документация

BC807-16LT1G, Биполярный транзистор SOT-23

Артикул:1206919
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
1 523 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии1 500 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 3,13 ₽
23 шт · Склад 39 · 166,98 ₽
Описание

Биполярный PNP транзистор BC807-16LT1G от ON Semiconductor в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до 500 мА и напряжение до 45 В, максимальная рассеиваемая мощность — 250 мВт. Подходит для схем коммутации и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипPNP general purpose transistor
Cc typ9pF
Ft мин.80MHz
Макс. ток коллектора-500mA
Rth JA500K/W
Макс. HFE250
Мин. HFE100
Ibm max-200mA
Макс. импульсный ток коллектора-1A
КорпусSOT23
Макс. напряжение база-эмиттер-1.2V
Icbo макс.100nA
Макс. IEBO100nA
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
Макс. Ptot250mW
VCBO макс.-50V
Vceo макс.-45V
Vebo макс.-5V
РазмерыE: 1.9mm; E1: 0.95mm; A max: 1.1mm; C max: 0.15mm; D max: 3.0mm; E max: 1.4mm; Q max: 0.55mm; A1 min: 0.1mm; Bp max: 0.48mm; He max: 2.5mm; Lp max: 0.45mm
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер-700mV
Условия измерения hFEI_C=-100mA, V_CE=-1V
Макс. темп. перехода150°C
Hfe at ic500ma min40
Диапазон температур хранения-65°C to +150°C
Рабочий диапазон температур-65°C to +150°C
Условия частоты переходовI_C=-10mA, V_CE=-5V, f=100MHz
Условия измерения ёмкости коллектораV_CB=-10V, f=1MHz

Заметили ошибку в описании или параметрах?