Документация
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 478 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,27 ₽
Сумма691,74 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 478 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 250,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 162 штюрлицам и ИП
от 411 — 3,59 ₽ (−16%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 691,74 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 558,26 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
162 шт · Склад 13 · 691,74 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC807-16LT1G от ON Semiconductor. Выдерживает напряжение до 45 В и ток до 0,5 А при мощности 0,3 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz |
| Корпус | 318 |
| Cobo | 10pF |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | -100nA |
| RoHS | Да |
| Тип | PNP Bipolar Transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5.0V |
| Стиль | 6 |
| Напряжение база-эмиттер вкл | -1.2V |
| Макс. HFE | 250 |
| Мин. HFE | 100 |
| Маркировка | 5A1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Упаковка | 3000/Tape & Reel |
| Без свинца | Да |
| Температура перехода и хранения | -55 to +150°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.7V |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BC807-16LT1G |
| Derate fr5 | 1.8mW/°C |
| Pd alumina | 300mW |
| Rth ja fr5 | 556°C/W |
| Без галогенов | Да |
| Pd fr5 board | 225mW |
| Непрерывный ток коллектора | -500mA |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Derate alumina | 2.4mW/°C |
| Icbo high temp | -5.0µA |
| Rth ja alumina | 417°C/W |
| Hfe high current | 40 |
| Условия измерения fT | IC=-10mA, VCE=-5.0Vdc, f=100MHz |
| Условия измерения hFE | IC=-100mA, VCE=-1.0V |
| Cobo test conditions | VCB=-10V, f=1.0MHz |
| Условия измерения ICBO | VCB=-20V |
| Vbe on test conditions | IC=-500mA, VCE=-1.0V |
| Условия измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Icbo high temp conditions | VCB=-20V, TJ=150°C |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?