Документация
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 0.8 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 340 шт.
Норм. уп.: 2000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт25,86 ₽
Сумма775,80 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 340 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 30 штюрлицам и ИП
от 83 — 23,37 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 775,80 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 524,20 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 775,80 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор от ON Semiconductor. Рассчитан на напряжение до 80 В и ток до 1 А при мощности 0,8 Вт. Выполнен в корпусе TO-92 с формованными выводами. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| Цоколевка | 1. Emitter, 2. Collector, 3. Base |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Применение | Switching and Amplifier Applications |
| Complement to | BC639 |
| Информация для заказа | Наименование изделия: BC640; Маркировка: BC640; Корпус: TO-92; Варианты: BC640BU, BC640TA, BC640TAR, BC640TF, BC640TFR, BC640_J35Z, BC640_J61Z |
| Габаритные размеры | Тип корпуса: TO-92; Dimensions in mm: Ширина корпуса: 3.60 ±0.20; Высота корпуса: 4.58 +0.25/-0.15; Длина вывода: 14.74 ±0.40; Расстояние между выводами: 1.27 TYP; Диаметр вывода: 0.46 ±0.10 |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Предельные значения | Ток базы: -100mA; Ток коллектора: -1A; Темп. хранения: -65~150°C; Темп. перехода: 150°C; Пиковый ток коллектора: -1.5A; Emitter base voltage ebo: -5V; Мощн. коллектора: 1W; Collector emitter voltage ceo: -80V; Collector emitter voltage ces: -100V; Collector emitter voltage rbe 1kohm: -100V |
| Электрические характеристики | Hfe1: Min: 25; Условия испытаний: VCE=-2V, IC=-5mA; Hfe2: Max: 160; Min: 40; Условия испытаний: VCE=-2V, IC=-150mA; Коэффициент усиления DC hFE3: Min: 25; Условия испытаний: VCE=-2V, IC=-500mA; Ток отсечки эмиттера: Max: -10μA; Условия испытаний: VEB=-5V, IC=0; Напряжение насыщения база-эмиттер: Max: -1V; Условия испытаний: VCE=-2V, IC=-500mA; Ток отсечки коллектора: Max: -0.1μA; Условия испытаний: VCB=-30V, IE=0; Граничная частота усиления: Min: 100MHz; Условия испытаний: VCE=-5V, IC=-10mA, f=50MHz; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: Min: -80V; Условия испытаний: IC=-10mA, IB=0; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Max: -0.5V; Условия испытаний: IC=-500mA, IB=-50mA |
| Описание (англ.) | PNP 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo |
Заметили ошибку в описании или параметрах?