+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC557BTA
Документация

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт

Артикул:763563
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
1 054 шт.
Норм. уп.: 2000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 012,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 288,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 012,00 ₽
Описание

Биполярный PNP-транзистор BC557BTA от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 45 В, ток коллектора до 0,1 А, мощность рассеивания 0,5 Вт. Выпускается в компактном корпусе TO-92 с формованными выводами. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
КорпусTO-92; SOT54; SC-43A
Тип монтажаВыводной
ПолярностьPNP
КомпонентBC557BTA
ОписаниеPNP general purpose transistor
ПрименениеGeneral purpose switching and amplification
Коэффициент шума2dB typ, 10dB max at VCE=-5V, IC=-200μA, RS=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz
Voltage vcbo-50V
Voltage vceo-45V
Voltage vebo-5V
Пиковый ток базы-200mA
Complimentary npnBC546, BC547
Рассеиваемая мощность500mW
Размеры упаковкиTO-92/SOT54 plastic package; body approx 5.2mm max height, 4.8mm max length, 4.2mm max width; lead spacing 2.54mm
Коэфф. усиления по току hFE220-475 at IC=-2mA, VCE=-5V
Ёмкость эмиттера10pF typ at VEB=-0.5V, f=1MHz
Напряжение база-эмиттер-600mV min, -650mV typ, -750mV max at IC=-2mA, VCE=-5V; -820mV max at IC=-10mA, VCE=-5V
Ток коллектора, DC-100mA
Частота перехода100MHz min at VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz
Ёмкость коллектора3pF typ at VCB=-10V, f=1MHz
Пиковый ток коллектора-200mA
Тип упаковкиAmunition Pack (лента в коробке)
Макс. темп. перехода150°C
Диапазон темп. окр.-65°C to +150°C
Диап. темп. хр.-65°C to +150°C
Ток отсечки эмиттер-база-100nA max at VEB=-5V, IC=0
Описание (англ.)Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
Ток отсечки коллектор-база-15nA max at VCB=-30V, IE=0; -4μA max at Tj=150°C
Напр. нас. база-эмиттер-750mV typ at IC=-10mA, IB=-0.5mA; -930mV typ at IC=-100mA, IB=-5mA
Тепловое сопротивление переход-среда250K/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-300mV max at IC=-10mA, IB=-0.5mA; -650mV max at IC=-100mA, IB=-5mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?