Документация
Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
3 809 шт.
Норм. уп.: 2000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12,75 ₽
Сумма1 275,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 809 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 154 — 11,28 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 275,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 025,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 275,00 ₽
Описание
Биполярный PNP транзистор BC556BTA от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 65 В, ток коллектора 0,1 А, мощность рассеивания 0,5 Вт. Выпускается в корпусе TO92 с формованными выводами. Подходит для схем усиления и коммутации в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 150MHz |
| Ток коллектора | -100mA |
| P d | 500mW |
| Температура перехода | 150°C |
| C ob | 6pF |
| I bp | -200mA |
| I cp | -200mA |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | -15nA |
| Тип | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| Температура хранения | -65 to +150°C |
| Напряжение V(CBO) | -80V |
| Напряжение V(CEO) | -65V |
| Напряжение V(EBO) | -5V |
| Цоколевка | 1. Collector, 2. Base, 3. Emitter |
| Макс. HFE | 450 |
| Мин. HFE | 200 |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Упаковка | Ammo |
| Тепловое сопротивление RthJA | 250°C/W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vbe on 1 | -600mV to -750mV |
| Vbe on 2 | -800mV |
| Компонент | BC556BTA |
| Hfe class | B |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -700mV |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -900mV |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -90mV to -300mV |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -250mV to -650mV |
| P d derate | 4.0mW/°C |
| Коэффициент шума | 2dB to 10dB |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Описание (англ.) | PNP 65V 0.1A 0.5W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?