Документация
Транзистор биполярный BC547A
У поставщика
У поставщиков
2 340 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт3,54 ₽
Сумма708,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 340 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 477 — 2,94 ₽ (−17%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 708,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 592,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 708,00 ₽
Описание
Биполярный транзистор BC547A от DC Components — популярный маломощный NPN-ключ. Работает с током коллектора до 100 мА и напряжением до 50 В, рассеивает до 500 мВт. Выпускается в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Подходит для усиления и коммутации в бытовой электронике и простых схемах автоматики.
Технические характеристики
| Тип | BC547A |
| Серия | BC847/BC547 |
| Корпус | SOT54 (SC-43A, TO-92) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | BC547A |
| Количество выводов | 3 |
| Описание | 45V, 100mA NPN general-purpose transistor |
| Код маркировки | C547 |
| Коэффициент шума | 2dB typ, 10dB max (Ic=200uA, Vce=5V, Rs=2kOhm, f=1kHz, B=200Hz) |
| PNP-комплемент | BC557 |
| Макс. коэфф. шума | 10 dB |
| Коэфф. шума, тип. | 2 dB |
| Пиковый ток базы | 100mA |
| Пиковый ток базы | 100mA (single pulse, tp<=1ms) |
| Ёмкость эмиттера | 11pF typ (Veb=0.5V, f=1MHz) |
| Напряжение база-эмиттер | 580-700mV (Ic=2mA, Vce=5V), typ 660mV; max 770mV (Ic=10mA, Vce=5V) |
| Ток коллектора, DC | 100mA |
| Темп. перехода | 150C |
| Частота перехода | 100MHz min (Ic=10mA, Vce=5V, f=100MHz) |
| Ёмкость коллектора | 1.5pF (Vcb=10V, f=1MHz) |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500mW |
| Пиковый ток коллектора | 200mA |
| Пиковый ток коллектора | 200mA (single pulse, tp<=1ms) |
| Dc current gain group A | 110-220 (Vce=5V, Ic=2mA), typ 180 |
| Ёмкость эмиттера тип. | 11 pF |
| Общая рассеиваемая мощность | 500mW (SOT54, Tamb<=25C) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Емкость коллектора, макс. | 1.5 pF |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Base emitter voltage on max | 700 mV at Ic=2mA, Vce=5V |
| Base emitter voltage on min | 580 mV at Ic=2mA, Vce=5V |
| Base emitter voltage on typ | 660 mV at Ic=2mA, Vce=5V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Dc current gain group a max | 220 |
| Dc current gain group a min | 110 |
| Dc current gain group a typ | 180 |
| Ток отсечки эмиттер-база | 100nA (Veb=5V, Ic=0A) |
| Ток отсечки коллектор-база | 15nA (Vcb=30V, Ie=0A); 5uA (Vcb=30V, Ie=0A, Tj=150C) |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 45V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Noise figure source resistance | 2kOhm |
| Напр. нас. база-эмиттер | 700mV typ (Ic=10mA, Ib=0.5mA); 900mV typ (Ic=100mA, Ib=5mA) |
| Dc current gain group A at 10uA | typ 90 (Vce=5V, Ic=10uA) |
| Тип. напряжение насыщения база-эмиттер | 700 mV at Ic=10mA, Ib=0.5mA; 900 mV at Ic=100mA, Ib=5mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 250 K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90mV typ, 200mV max (Ic=10mA, Ib=0.5mA); 200mV typ, 400mV max (Ic=100mA, Ib=5mA) |
| Dc current gain group a test condition | Vce=5V, Ic=2mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 200 mV at Ic=10mA, Ib=0.5mA; 400 mV at Ic=100mA, Ib=5mA |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 90 mV at Ic=10mA, Ib=0.5mA; 200 mV at Ic=100mA, Ib=5mA |
| Тип транзистора | BC547A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?