Документация
Описание
Транзистор BC546B от Diotec Semiconductor AG — это кремниевый NPN-биполярный транзистор в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Он рассчитан на ток коллектора до 100 мА, напряжение коллектор-эмиттер 5 В и рассеиваемую мощность 500 мВт, с типовым коэффициентом усиления 200–450. Подходит для усиления и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Вес | 0.01g |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Размеры | Ширина корпуса: 4.6mm; Шаг выводов: 2.54mm; Высота корпуса: 5.21mm |
| Артикул | BC546B |
| Производитель | Diotec Semiconductor AG |
| Коэффициент шума | 2dB typ, 10dB max at VCE=5V, IC=200µA, RG=2kΩ, f=1kHz, Δf=200Hz; 1.2dB typ, 4dB max |
| Материал корпуса | UL 94V-0 |
| Коэф. усиления DC | Vce 5v ic 2ma: 200-450; Vce 5v ic 10ua: 150 typ; Vce 5v ic 100ma: 200 typ |
| Пиковый ток базы | 200mA |
| Рассеиваемая мощность | 500mW |
| Условия пайки | 260°C/10s |
| Напряжение база-эмиттер | VCE=5V, IC=2mA: 580-700mV; IC=10mA: 770mV max |
| Ток коллектора, DC | 100mA |
| Пиковый ток коллектора | 200mA |
| Произведение усиления на полосу | 300 MHz typ at VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Ёмкость базы эмиттера | 9pF typ at VEB=0.5V, f=1MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Ёмкость коллектор-база | 3.5pF typ, 6pF max at VCB=10V, f=1MHz |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Макс. напр. К-Э | 65V |
| Напр. нас. база-эмиттер | IC=10mA, IB=0.5mA: 700mV typ; IC=100mA, IB=5mA: 900mV typ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 200 K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=10mA, IB=0.5mA: 80mV typ, 250mV max; IC=100mA, IB=5mA: 200mV typ, 600mV max |
| Collector emitter voltage base short max | 80V |
| Мощность, Вт | 0,5 |
| Тип транзистора | NPN |
Заметили ошибку в описании или параметрах?