Документация
Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.0 А, 0.625 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 584 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 584 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 68 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,17 |
| от 66 | 9,51 |
| от 131 | 8,75 |
| от 262 | 7,94 |
| от 523 | 7,23 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор средней мощности от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 20 В, ток коллектора до 1 А, рассеиваемая мощность 0,625 Вт. Выполнен в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | PNP medium power transistor |
| Ft мин. | 40MHz |
| Ft typ | 140MHz |
| Цоколевка | 1: base, 2: collector, 3: emitter |
| Макс. HFE | 375 |
| Мин. HFE | 85 |
| Ib peak | 200mA |
| Ic peak | 2A |
| Корпус | SOT54 (SC-43A, TO-92) |
| Vbe max | 1V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | PNP |
| VCBO макс. | 32V |
| Vceo макс. | 20V |
| Vebo макс. | 5V |
| Ic max dc | 1A |
| Размеры | Шаг выводов: 2.54mm; Макс. ширина корпуса: 4.2mm; Макс. длина корпуса: 4.8mm; Макс. диаметр вывода: 0.48mm; Мин. диаметр вывода: 0.40mm; Seated height max: 5.2mm |
| Vcesat max | 500mV |
| Ft conditions | VCE=-5V, IC=-50mA, f=100MHz |
| Hfe conditions | VCE=-1V, IC=-500mA |
| Vbe conditions | VCE=-1V, IC=-1A |
| Рассеиваемая мощность | 830mW |
| Vcesat conditions | IC=-1A, IB=-100mA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Collector capacitance typ | 28pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Collector capacitance conditions | VCB=-10V, f=1MHz |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 150 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?