Документация
BC307-40 TO-92 транзистор биполярный LGE (арт. 024124)
У поставщика
ПроизводительLGE
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
48 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:48 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,96 |
Описание
BC307-40 — биполярный PNP-транзистор производства LGE в корпусе TO-92. Предназначен для применения в схемах усиления и коммутации слабых сигналов. Отличается низким уровнем шума и стабильными параметрами при малых токах. Подходит для аудиоусилителей, предварительных каскадов и аналоговых устройств.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Junction Transistor |
| Цоколевка | 1: Collector; 2: Base; 3: Emitter |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | PNP |
| Размеры | TO-92 standard (typically 4.58mm x 4.58mm x 4.58mm, lead pitch 2.54mm) |
| Коэффициент шума | Value: 10 dB; Conditions: U_CE=-5V, I_C=-0.2mA, f=1kHz, R_G=2kΩ |
| Корпус | TO-92 |
| Монтаж | Выводной |
| HFE classification | A: 120-220; B: 180-460; C: 380-800 |
| Выходная емкость | 6 pF (at U_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz) |
| Dc current gain hFE | Max: 800; Min: 120; Conditions: U_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Dc current gain hfe | Max: 800; Min: 120; Classification: A: 120-220; B: 180-460; C: 380-800; Условия теста: U_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Частота перехода | 130 MHz (at U_CE=-5V, I_C=-10mA) |
| Max collector current | -0.1A |
| Макс. рас. мощн. | 500mW |
| Ток отсечки эмиттера | -15nA max (at U_EB=-5V) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | -0.55 to -0.75V (at U_CE=-5V, I_C=-2mA) |
| Ток отсечки коллектора | -15nA max (at U_CB=-45V) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Max emitter base voltage | -6V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Max collector base voltage | -45V |
| Emitter base cutoff current | -15nA |
| Base emitter turn on voltage | -0.55 to -0.75V |
| Ток отсечки коллектор-база | -15nA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5V min |
| Напр. нас. база-эмиттер | Value: -0.75V typ/-1V max; Conditions: I_C=-10mA, I_B=-0.5mA; I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -45V min |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 125°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V min (at I_C=-2mA, I_B=0) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 357°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Value: -0.3V typ/-0.6V max; Conditions: I_C=-10mA, I_B=-0.5mA; I_C=-100mA, I_B=-5mA |