Документация
Диоды / Диодные сборки (BAS.BAT.BAV) / 100V 215mA (1 диод) / 125mA (2 диода) / BAV99LT1G / BAV99_R2_00001 PANJIT, BAV99 NXP/NEXPERIA, BAV99 ASEMI, BAV99_R1_00001 PANJIT, BAV99 SUNTAN, BAV99.215 NEXPERIA, BAV99,235 NXP/NEXPERIA, BAV99,215 NXP/NEXPERIA, / S
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияДиоды SMD
У поставщиков
30 012 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 15срок до 10 дн.
Цена за шт1,33 ₽
Сумма1 330,00 ₽
В наличии30 000 шт
только упаковками по 1 000 штюрлицам и ИП
1 000 шт · Склад 15 · 1 330,00 ₽
Описание
BAV99LT1G — это сдвоенный быстродействующий диод с общей структурой, выпускаемый компанией ON Semiconductor. Компонент состоит из двух последовательно соединённых диодов в миниатюрном корпусе SOT-23, что обеспечивает высокую плотность монтажа. Применяется для защиты входов от статического электричества, в схемах детектирования и коммутации сигналов.
Технические характеристики
| Тип | Switching Diode |
| Корпус | SOT-23 (TO-236), Case 318-08 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 0.89-1.11mm; D: 2.80-3.04mm; E: 1.20-1.40mm; Индуктивность: 0.30-0.55mm; B: 0.37-0.50mm; C: 0.08-0.20mm; E: 1.78-2.04mm; A1: 0.01-0.10mm; HE: 2.10-2.64mm; L1: 0.35-0.69mm; Θ: 0°-10° |
| Соответствия | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Описание | Dual series switching diode |
| Артикул | BAV99LT1G |
| Конфигурация | Dual series; Style 11: Pin1 Anode, Pin2 Cathode, Pin3 Cathode-Anode |
| Прямой ток | 215mA (per diode) |
| Прямое напряжение | max 715mV @ 1mA; max 855mV @ 10mA; max 1000mV @ 50mA; max 1250mV @ 150mA |
| Обратное напряжение | 100V |
| Автомобильный класс | S prefix versions (SBAV99L) are AEC-Q101 qualified and PPAP capable |
| Емкость диода | max 1.5pF @ VR=0, f=1MHz |
| Прямой ток | 215 mA |
| Время обратного восстановления | max 6.0ns (IF=IR=10mA, iR(REC)=1mA, RL=100Ω) |
| Обратный ток утечки | max 1.0µA @ VR=100V; max 30µA @ VR=25V TJ=150°C; max 50µA @ VR=70V TJ=150°C |
| Напряжение обратного восстановления | max 1.75V (IF=10mA, tr=20ns) |
| Обратное пробивное напряжение | min 100V @ I(BR)=100µA |
| Имп. прямой ток | 500mA |
| Рассеиваемая мощность, плата FR5 | 225mW @ TA=25°C, derate 1.8mW/°C |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 450mA |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 100V |
| Средний выпрямленный прямой ток | 715mA (averaged over any 20ms period) |
| Прямое напряжение | 1.25 V |
| Неповторяющийся импульсный ток | 2.0A @ t=1.0µs; 1.0A @ t=1.0ms; 0.5A @ t=1.0s |
| Рассеиваемая мощность на алюминии | 300mW @ TA=25°C, derate 2.4mW/°C |
| Обратное напряжение | 70 V |
| Диапазон температур перехода и хранения | -65 to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда, FR-5 | 556°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, оксид алюминия | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?