+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BAV199LT1G
Документация

Диод BAV199LT1G

Артикул:90758
Нет в наличии
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияДиоды SMD
Ед. изм.шт
Описание

Диод BAV199LT1G от ON Semiconductor — это SMD-компонент в миниатюрном корпусе. Он представляет собой сдвоенный диод с низким обратным током и напряжением до 70 В. Подходит для коммутации сигналов в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Без свинцаДа
Шаг выводов1.78 to 2.04 mm
Без галогеновДа
Код маркировкиJY
Корпус318-08
Соотв. RoHSДа
Прямой ток215 mAdc
Прямое напряжение900 mV max at 1 mA, 1000 mV max at 10 mA, 1100 mV max at 50 mA, 1250 mV max at 150 mA
Обратное напряжение70 Vdc
Стандарт качестваAEC-Q101, PPAP capable
Емкость диода2.0 pF max at VR=0V, f=1.0 MHz
Снижение выше 25°C, FR51.8 mW/°C
Ширина корпуса1.20 to 1.40 mm
Время обратного восстановления3.0 µs max (IF=IR=10 mA)
Высота корпуса0.89 to 1.11 mm
Длина корпуса2.80 to 3.04 mm
Обратный ток утечки5.0 nA max at VR=70V, 80 nA max at TJ=150°C
Снижение выше 25°C, оксид алюминия2.4 mW/°C
Рассеиваемая мощность, alumina320 mW
Обратное пробивное напряжение70 Vdc (min at 100 µA)
Диап. темп. хр.-65 to +150 °C
Диапазон темп. перехода-65 to +150 °C
Имп. прямой ток500 mAdc
Рассеиваемая мощность, плата FR5225 mW
Повторяющийся пиковый прямой ток450 mAdc
Повторяющееся импульсное обратное напряжение70 Vdc
Средний выпрямленный прямой ток715 mAdc
Неповторяющийся импульсный ток2.0 A (t=1.0 µs), 1.0 A (t=1.0 ms), 0.5 A (t=1.0 s)
Тепловое сопротивление переход-среда FR5556 °C/W
Тепловое сопротивление переход-среда (Al2O3)417 °C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?