Документация
Диод SMD BAT54S
У поставщика
У поставщиков
99 010 шт.
Норм. уп.: 300
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт1,05 ₽
Сумма134,40 ₽
В наличии128 шт
от 128 штюрлицам и ИП
Склад 39срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии96 964 шт
от 500 штюрлицам и ИП
продаётся от 500 штпри 500 — 1,34 ₽
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии1 808 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 1,21 ₽
128 шт · Склад 2 · 134,40 ₽
Описание
Диод SMD BAT54S от HOTTECH выполнен в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает обратное напряжение до 30 В и прямой ток до 200 мА при мощности рассеивания 200 мВт. Отличается низким прямым напряжением 1 В и быстрым восстановлением 5 нс. Подходит для защиты цепей и высокочастотной коммутации в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Вес | 0.013g (approx) |
| В упаковке | 3000 |
| Маркировка | KL4 |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Low Forward Voltage, Fast Switching, Surface Mount device, For General Purpose Switching Applications |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BAT54S |
| Рабочая температура | -40…+125 °С |
| Описание | Schottky Barrier Diode |
| Артикул | BAT54S |
| Материал корпуса | литой пластик, UL 94V-0 |
| Конфигурация | Single |
| Размеры мм | A: 0.900-1.150; D: 2.800-3.000; E: 1.200-1.400; Индуктивность: 0.550 REF; B: 0.300-0.500; C: 0.080-0.150; E: 0.950 TYP; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.050; E1: 2.250-2.550; L1: 0.300-0.500; E1: 1.800-2.000; Theta: 0°-8° |
| Лента и катушка | A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: Ø1.50mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm; Reel option: D: Ø178mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm |
| Прямое напряжение | 1 В |
| Обратный ток | 2 мкА |
| Обратное напряжение | 30 В |
| Размеры в дюймах | A: 0.035-0.045; D: 0.110-0.118; E: 0.047-0.055; Индуктивность: 0.022 REF; B: 0.012-0.020; C: 0.003-0.006; E: 0.037 TYP; A1: 0.000-0.004; A2: 0.035-0.041; E1: 0.089-0.100; L1: 0.012-0.020; E1: 0.071-0.079; Theta: 0°-8° |
| Емкость диода | 10pF at VR=1V, f=1MHz |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Напряжение блокировки DC | 30 В |
| Макс. обратное напряжение | 30V |
| Темп. хранения | -55~+150 °C |
| Темп. перехода | 125 °C |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Рекомендуемая посадочная площадка | provided |
| Размеры корпуса мм | Шаг: 0.95 typ; Ширина корпуса: 1.2 to 1.4; Ширина вывода: 0.3 to 0.5; Высота корпуса: 0.9 to 1.15; Длина корпуса: 2.8 to 3.0; Длина вывода: 0.55 ref |
| Время обратного восстановления | 5ns at IF=IR=10mA, Irr=0.1*IR, RL=100Ω |
| Прямое напряжение типовое | At 1mA: 0.32V; At 10mA: 0.40V; At 30mA: 0.50V; At 0.1mA: 0.24V; At 100mA: 1V |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Обратное пробивное напряжение | 30V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Непрерывный прямой ток | 200mA |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Макс. обратный ток утечки | 2uA at 25V |
| Раб. имп. обратное напряжение | 30V |
| Мин. обратное напряжение пробоя | 30V at 100uA |
| Имп. обратное напряжение | 30V |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 300mA at t≤1s, δ≤0.5 |
| Ток утечки при обратном напряжении | 2uA |
| Термосопротивление переход-среда | 500°C/W |
| Неповтор. импульсный ток | 600mA at 8.3ms |
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 30 |
| Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?