+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BAS716,115
Документация

Диод выпрямительный общего применения 75В 0.2А

Артикул:774916
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
У поставщиков
2 010 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 334,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 966,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 334,00 ₽
Описание

Диод выпрямительный общего применения NEXPERIA BAS716,115. Компонент выполнен в миниатюрном SMD-корпусе SOD523, рассчитан на обратное напряжение до 75 В и прямой ток до 0,2 А. Отличается сверхнизким обратным током утечки (типовое значение 0,2 нА) и средней скоростью переключения. Подходит для применения в портативной и бытовой электронике, а также в цепях защиты от перенапряжения.

Технические характеристики
ТипLow-leakage switching diode
КорпусSOD-523
Цоколевка1: cathode, 2: anode
Особенностиlow leakage current typ 0.2nA; medium-speed switching; AEC-Q101 qualified
Тип монтажаSMD
Тип цоколяBAS716
Размеры1.2mm x 0.8mm x 0.6mm (body)
ОписаниеLow-leakage epitaxial medium-speed switching diode
АртикулBAS716,115
Код маркировкиS1
Время переключенияtyp 0.6µs
Прямой ток200mA (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Прямое напряжение0.92V typ, 1.1V max at 50mA (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Обратный ток0.2nA typ, 5nA max at 75V, Tj=25°C (pulsed); 3nA typ, 80nA max at 75V, Tj=150°C
Обратное напряжение75V
Скорость переключенияmedium-speed
Емкость диода2pF typ at VR=0V, f=1MHz, Tj=25°C
AEC-Q101Да
Размеры упаковки1.2mm x 0.8mm x 0.6mm body
Температура окружающей среды-55 to 150°C
Forward voltage 1mAtyp 0.77V, max 0.9V (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Темп. хранения-65 to 150°C
Forward voltage 10mAtyp 0.85V, max 1V (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Forward voltage 50mAtyp 0.92V, max 1.1V (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Темп. перехода150°C max
Макс. обратное напряжение85V
Forward voltage 150mAtyp 1.02V, max 1.25V (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Время обратного восстановления0.6µs typ, 3µs max (IF=10mA, IR=10mA, RL=100Ω, IR(meas)=1mA, Tj=25°C)
Forward current pulsed200mA (t≤300µs, δ≤0.02, Tj=25°C)
Leakage current typical0.2nA at 75V, 25°C
Reverse current 75V 25Ctyp 0.2nA, max 5nA (pulsed, Tj=25°C)
Общая рассеиваемая мощность250mW (Tamb≤25°C, FR4 PCB standard footprint)
Reverse current 100V 25Ctyp 0.3nA (pulsed, Tj=25°C)
Reverse current 75V 150Ctyp 3nA, max 80nA (pulsed, Tj=150°C)
Диапазон темп. окр.-55°C to 150°C
Диап. темп. хр.-65°C to 150°C
Непрерывное обратное напряжение75V
Диапазон темп. перехода-55°C to 150°C
Постоянный прямой ток макс.200mA (pulsed conditions)
Повторяющийся пиковый прямой ток500mA
Повторяющееся импульсное обратное напряжение85V
Неповторяющийся импульсный ток4A @1µs, 1A @1ms, 0.5A @1s (square wave, Tj_init=25°C)
Термосопротивление переход-среда450K/W (FR4 PCB standard footprint)
Тепловое сопротивление переход-пайка120K/W (cathode tab)

Заметили ошибку в описании или параметрах?