Документация
Диод BAS21 (SMD)
У поставщика
У поставщиков
79 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,09 |
| от 200 | 2,01 |
| от 400 | 1,96 |
| от 1 000 | 1,93 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:79 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,09 |
| от 200 | 2,01 |
| от 400 | 1,96 |
| от 1 000 | 1,93 |
Описание
Диод BAS21 от NXP (Philips) выполнен в SMD-корпусе для поверхностного монтажа. Ключевые параметры: высокое обратное напряжение и быстродействие. Применяется в цепях защиты и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | General-Purpose High Voltage Diode |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Top mark | A82. |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | Ширина: 2.40±0.30mm; Высота: 1.20mm max; Длина: 2.92±0.20mm; Размах выводов: 1.90mm; Ширина вывода: 0.60mm; Длина вывода: 1.00mm |
| Описание | General-Purpose High Voltage Diode |
| Артикул | BAS21 |
| Land pattern | recommended per JEDEC TO-236 |
| Снижение выше 25°C | 2.8mW/°C |
| Емкость диода | 5.0pF |
| Постоянный прямой ток | 600mA |
| Размеры упаковки | 2.92mm x 1.30mm x 1.20mm (max) |
| Макс. прямое напряжение | 1.25V |
| Max reverse voltage | 250V |
| Мин. пробойное напр. | 250V |
| Время обратного восстановления | 50ns |
| Прямое напряжение типовое | 1.0V (at 100mA) |
| Working inverse voltage | 250V |
| Forward voltage at 100ma | 1.0V |
| Forward voltage at 200ma | 1.25V |
| Total device dissipation | 350mW |
| Average rectified current | 200mA |
| Прямое напряжение | I=200mA |
| Reverse leakage condition | V=200V, T=25°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Reverse recovery condition | IF=IR=30mA, IRR=3mA, RL=100Ω |
| Diode capacitance condition | V=0, f=1MHz |
| Reverse leakage current max | 100nA |
| Peak forward surge current 1s | 1.0A |
| Рабочая температура перехода | 150°C |
| Peak forward surge current 1us | 2.0A |
| Recurrent peak forward current | 700mA |
| Reverse leakage current at 200v | 100nA |
| Reverse leakage current high temp | 100μA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Reverse leakage high temp condition | V=200V, T=150°C |
| Reverse leakage current at 200v 150c | 100µA |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?