Документация
Диод SMD BAS16LT1G
У поставщика
У поставщиков
30 551 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,17 ₽
Сумма1 085,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии30 551 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 1 887 — 1,79 ₽ (−18%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 085,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 215,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 1 085,00 ₽
Описание
Диод SMD BAS16LT1G от ON Semiconductor — компактный кремниевый переключающий диод. Работает при обратном напряжении до 75 В и прямом токе до 200 мА, выпускается в корпусе SOT-23. Подходит для высокоскоростной коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Switching Diode |
| Цоколевка | Pin 1: Anode, Pin 2: No Connection, Pin 3: Cathode |
| Маркировка | A6M |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Размеры | A: 0.89-1.11mm; B: 0.37-0.50mm; C: 0.08-0.20mm; D: 2.80-3.04mm; E: 1.78-2.04mm; L: 0.30-0.55mm; A1: 0.01-0.10mm; He: 2.10-2.64mm; L1: 0.35-0.69mm; Lead angle: 0° to 10° |
| Без галогенов | Да |
| Конфигурация | Single |
| Stored charge | 45pC (max) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Прямое напряжение | At if 1ma: 715mV (max); At if 10ma: 855mV (max); At if 50ma: 1000mV (max); At if 150ma: 1250mV (max) |
| Емкость диода | 2.0pF (max) |
| Автомобильный | Нет |
| Информация для заказа | Корпус: SOT-23; Условия поставки: 3000/Tape & Reel; Артикул: BAS16LT1G |
| Макс. прямой ток | 200mA |
| Время обратного восстановления | 6.0ns (max) |
| Напряжение обратного восстановления | 1.75V (max) |
| Обратное пробивное напряжение | 100V (min) |
| Непрерывное обратное напряжение | 100V |
| Снижение выше 25 °C на плате FR5 | 1.8mW/°C |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 1.0A |
| Ток утечки при обратном напряжении | At vr 100v: 1.0uA; At vr 25v tj 150c: 30uA; At vr 75v tj 150c: 50uA |
| Снижение выше 25 °C на алюминиевой подложке | 2.4mW/°C |
| Общая рассеиваемая мощность, плата FR5 | 225mW |
| Диапазон температур перехода и хранения | -55°C to +150°C |
| Общая рассеиваемая мощность, керамика | 300mW |
| Non repetitive peak forward surge current 60hz | 500mA |
| Неповторяющийся импульсный ток, прямоугольный | T 1s: 0.7A; T 1ms: 3.0A; T 1us: 36.0A; T 10us: 18.0A; T 100us: 6.0A |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, плата FR5 | 556°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, алюминиевая подложка | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?