Документация
Диод SMD BAS16
У поставщика
У поставщиков
17 787 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:11 736 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 1056 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,65 |
| от 605 | 0,56 |
| от 1 209 | 0,49 |
| от 3 000 | 0,44 |
| от 6 000 | 0,40 |
Склад 14
В наличии:3 351 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 0,44 |
Склад 12
В наличии:2 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 300 | 0,66 |
| от 3 000 | 0,53 |
Описание
Диод SMD BAS16 от HOTTECH — высокоскоростной кремниевый переключательный диод. Предназначен для применения в цепях логики, коммутации и защиты от перенапряжений. Обеспечивает быстрое переключение и малую емкость перехода, что делает его подходящим для высокочастотных схем.
Технические характеристики
| Тип | switching_diode |
| Вес | 0.008g |
| Тип | Switching Diode |
| Маркировка | A6 |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Fast Switching, High Conductance, Surface Mount, General Purpose Switching Applications |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Прямой ток | 300mA |
| Емкость диода | 3.0pF |
| Прямое напряжение 1 | 0.65V |
| Прямое напряжение 2 | 0.70V |
| Прямое напряжение 3 | 0.80V |
| Прямое напряжение 4 | 0.90V |
| Forward voltage 5 | 1.00V |
| Forward voltage 6 | 1.20V |
| Рассеиваемая мощность | 150mW |
| Размеры упаковки | A max: 1.150mm; A min: 0.900mm; B max: 0.500mm; B min: 0.300mm; C max: 0.150mm; C min: 0.080mm; D max: 3.000mm; D min: 2.800mm; E max: 1.400mm; E min: 1.200mm; E typ: 0.950mm; L ref: 0.550mm; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 1.050mm; A2 min: 0.900mm; E1 max: 2.550mm; E1 min: 2.250mm; E1 typ: 1.800mm to 2.000mm; L1 max: 0.500mm; L1 min: 0.300mm; Theta range: 0° to 8° |
| Ср.кв. обратное напряжение | 53V |
| Прямой ток | 200 mA |
| Темп. перехода | 150°C |
| Чувствит. к влаге | Level 1 |
| Время обратного восстановления | 4ns |
| Обратное пробивное напряжение | 80V |
| Reverse leakage current 1 | 25nA |
| Reverse leakage current 2 | 1µA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Dc blocking reverse voltage | 80V |
| Diode capacitance condition | V_R=0V, f=1MHz |
| Forward voltage 1 condition | I_F=1mA |
| Forward voltage 2 condition | I_F=5mA |
| Forward voltage 3 condition | I_F=10mA |
| Forward voltage 4 condition | I_F=50mA |
| Forward voltage 5 condition | I_F=100mA |
| Forward voltage 6 condition | I_F=150mA |
| Reverse recovery time condition | I_F=I_R=10mA, I_rr=0.1×I_R |
| Средний выпрямленный выходной ток | 100mA |
| Прямое напряжение | 1.25 V |
| Неповторяющееся импульсное обратное напряжение | 100V |
| Reverse leakage current 1 condition | V_R=20V |
| Reverse leakage current 2 condition | V_R=80V |
| Обратное напряжение | 75 V |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |
| Reverse breakdown voltage test condition | I_R=100µA |
| Неповтор. импульсный ток | 2.0A |