Документация
BAS116JV, кремниевый эпитаксиальный плоский диод, 85В, 215мА, 250мВт [SOT-23]
У поставщика
ПроизводительFulihao Tech
У поставщиков
2 300 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 300 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 100 | 2,08 |
Технические характеристики
| Тип | silicon_epitaxial_planar_diode |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOT23-3 |
| Емкость диода | 2pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 250mW |
| Тип диода | импульсный диод |
| Темп. перехода | 150°C |
| Время обратного восстановления | 3µs max |
| Прямое напряжение при 1мА | 0.9V max |
| Прямое напр. при 10мА | 1V max |
| Forward voltage at 50mA | 1.1V max |
| Forward voltage at 150mA | 1.25V max |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Непрерывный прямой ток | 215mA |
| Continuous reverse voltage | 75V |
| Reverse current at 75v 25c | 5nA max |
| Reverse current at 75v 150c | 80nA max |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 500mA |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 85V |
| Неповтор. импульсный ток | 4A |