Документация
Микросхема AT45DB161E-SHD-T
У поставщика
У поставщиков
220 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:220 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 113,85 |
| от 10 | 98,05 |
Описание
Микросхема флеш-памяти AT45DB161E-SHD-T от Adesto Technologies. Объём памяти 16 Мбит, работает от напряжения 2,5–3,6 В в диапазоне температур от -40 до +85 °С. Выполнена в корпусе SOIC-8 Wide для поверхностного монтажа, интерфейс SPI. Применяется в промышленной автоматике и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Тип | Микросхемы памяти |
| Вес | 0.51 |
| В упаковке | REEL, 2000 шт. |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
| Jedec id | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOIC-8 Wide (SMD) |
| Интерфейс | SPI |
| Рабочая температура | -40…+85 °С |
| Объем памяти | 16-Mbit + 512-Kbits |
| Buffer count | 2 |
| Выводы корпуса | 8 |
| Тип упаковки | SOIC |
| Reset options | hardware and software |
| Сохранение данных | 20 years |
| Continuous read | Да |
| Green compliant | Да |
| Number of pages | 4096 |
| Варианты корпуса | 8-lead SOIC, 8-pad UDFN, 9-ball UBGA, 11-ball WLCSP, Die |
| Sector lockdown | Да |
| Supports rapids | Да |
| Циклы стойкости | 100000 |
| Диап. вх. напр. | 2,5…3,6 В |
| Sram buffer size | 512/528 bytes |
| Page size options | 512 bytes, 528 bytes |
| Sector protection | Да |
| Макс. напряжение питания | 3.6V |
| Мин. напряжение питания | 2.3V |
| Макс. тактовая частота | 85MHz |
| Spi modes supported | 0, 3 |
| Otp user programmable | 64 bytes |
| Package width options | 0.150 inch, 0.208 inch |
| Otp factory programmed | 64 bytes |
| Voltage supply alt max | 3.6V |
| Voltage supply alt min | 2.5V |
| Типовой ток в режиме ожидания | 25µA |
| Clock to output time max | 6ns |
| Otp security register size | 128 bytes |
| Active read current typical | 7mA |
| Диап. раб. темп. | industrial (-40°C to +85°C) |
| Program erase suspend resume | Да |
| Active read frequency typical | 15MHz |
| Supply current active read max | 7mA @ 15MHz typical |
| Deep power down current typical | 3µA |
| Ultra deep power down current typical | 400nA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?