Документация
Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 4Mбит 85МГц 8SOIC
У поставщика
ПроизводительRENESAS
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
275 шт.
Норм. уп.: 4000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт117,01 ₽
Сумма1 170,10 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии275 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 18 — 109,03 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 170,10 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 129,90 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 170,10 ₽
Описание
Флэш-память NOR от Renesas объёмом 4 Мбит. Работает на частоте до 85 МГц, выпускается в компактном корпусе 8SOIC. Подходит для хранения кода и данных в промышленной автоматике и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: SI; 2: SCK; 3: RESET; 4: CS; 5: WP; 6: VCC; 7: GND; 8: SO |
| Корпус | SO-8 |
| Jedec id | Standard Manufacturer and Device ID Read |
| Ресурс | 100,000 program/erase cycles per page minimum |
| Интерфейс | SPI |
| Кол-во выводов | 8 |
| Режимы SPI | 0 and 3 |
| Описание | 4-Mbit DataFlash (with Extra 128-Kbits), 1.65V Minimum SPI Serial Flash Memory |
| Объем памяти | 4 Mbit |
| Тип памяти | SPI Serial Flash |
| Артикул | AT45DB041E |
| Производитель | Adesto Technologies |
| Sram buffers | 2 x 256/264 bytes |
| Erase options | Page Erase (256/264 bytes), Block Erase (2KB), Sector Erase (64KB), Chip Erase (4-Mbits) |
| Тип монтажа | SMD |
| Reset options | Hardware and software controlled reset |
| Сохранение данных | 20 years |
| Rapids support | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Suspend resume | Program and Erase Suspend/Resume |
| Data protection | Individual sector protection, Individual sector lockdown |
| Ток в режиме ожидания | 25µA |
| Page size options | 256 bytes, 264 bytes (default) |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 1.65V |
| Active read current | 7mA @ 15MHz |
| Макс. такт. частота | 85MHz |
| Организация памяти | 2,048 pages x 256/264 bytes |
| Programming options | Byte/Page Program (1 to 256/264 bytes), Buffer Write, Buffer to Main Memory Page Program |
| Clock to output time | 6ns |
| Otp security register | 128-byte (64 bytes factory programmed, 64 bytes user programmable) |
| Ном. напряжение питания | 1.65V - 3.6V |
| Deep power down current | 3µA |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Low power read frequency | 15MHz |
| Диап. раб. темп. | Промышленный |
| Описание (англ.) | NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4M-bit 512K x 8 7ns 8-Pin SOIC N Tube |
| Ultra deep power down current | 400nA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?