Документация
Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 4Mбит 85МГц 8SOIC
У поставщика
ПроизводительRENESAS
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
4 361 шт.
Норм. уп.: 2000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт67,90 ₽
Сумма1 018,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 361 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 96 — 63,61 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 018,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 281,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 1 018,50 ₽
Описание
Флэш-память от RENESAS с архитектурой ИЛИ-НЕ. Объем 4 Мбит, частота работы до 85 МГц, выпускается в компактном корпусе 8SOIC. Подходит для хранения прошивок и данных в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | 8-lead SOIC (0.150" wide, 0.208" wide) |
| Без свинца | Да |
| Jedec id | Standard Manufacturer and Device ID Read |
| Тип монтажа | SMD |
| Ресурс | 100,000 program/erase cycles per page minimum |
| Интерфейс | SPI |
| Размер страницы | 256/264 bytes |
| Кол-во выводов | 8 |
| Режимы SPI | 0 and 3 |
| Описание | 4-Mbit DataFlash (with Extra 128-Kbits), 1.65V Minimum SPI Serial Flash Memory |
| Без галогенов | Да |
| Объем памяти | 4Mbit |
| Тип памяти | SPI Serial Flash |
| Артикул | AT45DB041E-SHN-T |
| Производитель | Adesto Technologies |
| Sram buffers | 2 |
| Erase options | Page Erase (256/264 bytes), Block Erase (2KB), Sector Erase (64KB), Chip Erase (4-Mbits) |
| Тип монтажа | SMD |
| Сохранение данных | 20 years |
| Rapids support | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Suspend resume | Program and Erase Suspend/Resume |
| Data protection | Individual sector protection, Individual sector lockdown, Hardware and software controlled reset |
| Варианты корпуса | 8-lead SOIC (0.150" wide and 0.208" wide), 8-pad Ultra-thin DFN (5 x 6 x 0.6mm), 8-ball Wafer Level Chip Scale Package, Die in Wafer Form |
| Циклы стойкости | 100000 |
| Page size option | 256 bytes |
| Sram buffer size | 256/264 bytes |
| Page size default | 264 bytes |
| Темп. диапазон | industrial (-40°C to +85°C) |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 1.65V |
| Макс. такт. частота | 85MHz |
| Memory architecture | NOR |
| Организация памяти | 2048 pages x 256/264 bytes |
| Programming options | Byte/Page Program (1 to 256/264 bytes), Buffer Write, Buffer to Main Memory Page Program |
| Ток ожидания, тип. | 25µA |
| Сохранность данных, лет | 20 |
| Otp security register | 128-byte |
| Otp user programmable | 64 bytes |
| Otp factory programmed | 64 bytes |
| Ном. напряжение питания | 1.65V - 3.6V |
| Active read current typ | 7mA @ 15MHz |
| Макс. раб. частота | 85MHz |
| Типовой ток в режиме ожидания | 25µA |
| Clock to output time max | 6ns |
| Low power read frequency | 15MHz |
| Ток активного чтения, тип. | 7mA |
| Deep power down current typ | 3µA |
| Диап. раб. темп. | Промышленный |
| Low power read frequency max | 15MHz |
| Тип. ток глубокого отключения | 3µA |
| Ultra deep power down current typ | 400nA |
| Тип. ток сверхглубокого сна | 400nA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?