Документация
Описание
Микросхема статической памяти SRAM от Alliance Memory. Объем — 8 Мбит (1M x 8), время доступа 55 нс, напряжение питания от 2,7 до 5,5 В. Выпускается в корпусах TSOP-II и TFBGA для поверхностного монтажа. Подходит для промышленной автоматики, телекоммуникационного оборудования и встраиваемых систем.
Технические характеристики
| Корпус | 44-pin 400 mil TSOP-II, 48-ball 6mm x 8mm TFBGA |
| Тип монтажа | SMD |
| Интерфейс | TTL compatible |
| Технология | CMOS |
| Total bits | 8388608 |
| Access time | 55ns |
| Тип выхода | Tri-state |
| Артикул | AS6C8008-55BIN |
| Макс. вых. ток | 50mA |
| Макс. напр. пит. | 5.5V |
| Мин. напр. пит. | 2.7V |
| Организация памяти | 1,048,576 words x 8 bits |
| Макс. ток дежурного режима | 50µA |
| Standby current typ | 6µA |
| Входная емкость макс. | 6pF |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.6V |
| Input low voltage min | 0.2V |
| Раб. ток макс. | 60mA |
| Operating current typ | 30mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W |
| Input high voltage max | VCC+0.3V |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.4V |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Макс. ток утечки входа | 1µA |
| Макс. раб. темп. | 85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Data retention current max | 50µA |
| Data retention current typ | 4µA |
| Data retention voltage min | 1.5V |
| Макс. ток утечки | 1µA |
| Input output capacitance max | 8pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?