Документация
память SRAM 32K x 8, 55нс AS6C62256-55SIN
У поставщика
ПроизводительALLIANCE
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
60 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:60 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 540,32 |
| от 5 | 510,82 |
| от 10 | 486,78 |
| от 25 | 468,92 |
| от 50 | 455,64 |
Описание
Микросхема статической памяти SRAM от Alliance. Объем 32К x 8 бит, время доступа 55 нс, работает в расширенном температурном диапазоне от -40 до +85°C. Корпус SO28. Подходит для встраиваемых систем, промышленных контроллеров и устройств, требующих быстрого хранения данных.
Технические характеристики
| Корпус | 28-pin 600 mil PDIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Кол-во выводов | 28 |
| Access time | 55ns |
| Описание | 32K x 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM |
| Объем памяти | 262144-bit |
| Тип памяти | SRAM |
| Артикул | AS6C62256-55SIN |
| Производитель | Alliance Memory Inc. |
| Организация | 32768 words x 8 bits |
| Соотв. RoHS | Да |
| Recovery time min | 55ns |
| Io capacitance max | 8pF |
| Макс. вых. ток | 50mA |
| Макс. напр. пит. | 5.5V |
| Мин. напр. пит. | 2.7V |
| Read cycle time min | 55ns |
| Макс. ток дежурного режима | 3µA |
| Write cycle time min | 55ns |
| Примечание | 32K x 8 55ns |
| Входная емкость макс. | 6pF |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.6V |
| Раб. ток макс. | 45mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W |
| Write pulse width min | 45ns |
| Address setup time min | 0ns |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.4V |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Типовое питание | 3.3V |
| Address access time max | 55ns |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Типовой ток в режиме ожидания | 1µA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Write recovery time min | 0ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. ток утечки входа | 1µA |
| Operating current typical | 15mA |
| Макс. раб. темп. | 70°C |
| Мин. раб. темп. | 0°C |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Data retention current max | 20µA |
| Data retention voltage min | 1.5V |
| Макс. ток утечки | 1µA |
| Write to output high z max | 20ns |
| Chip enable access time max | 55ns |
| Описание (англ.) | SRAM 32Kx8 55ns |
| Output enable access time max | 30ns |
| Data retention current typical | 0.5µA |
| Data to write time overlap min | 25ns |
| Chip enable to end of write min | 50ns |
| Chip enable to output low z min | 10ns |
| Address valid to end of write min | 50ns |
| Chip disable to output high z max | 20ns |
| Output enable to output low z min | 5ns |
| Output active from end of write min | 5ns |
| Output disable to output high z max | 20ns |
| Output hold from address change min | 10ns |
| Data hold from end of write time min | 0ns |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Chip disable to data retention time min | 0ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?