Документация
память SRAM 512K x 8 55нс AS6C4008-55PCN
У поставщика
ПроизводительALLIANCE
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
73 шт.
Норм. уп.: 13
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:73 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 13
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 868,11 |
| от 4 | 823,19 |
| от 7 | 786,60 |
| от 13 | 759,41 |
| от 39 | 739,20 |
Описание
Микросхема статической памяти SRAM от Alliance. Объём 4 Мбит (512K x 8) с временем доступа 55 нс, выполнена в корпусе DIP32. Работает в диапазоне температур от 0°C до 70°C. Применяется в промышленной автоматике и встраиваемых системах, где требуется быстрая временная память.
Технические характеристики
| Корпус | 32-pin 450 mil SOP |
| Тип монтажа | SMD |
| Access time | 55ns |
| Описание | 512K x 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM |
| Тип памяти | SRAM |
| Артикул | AS6C4008-55PCN |
| Производитель | Alliance Memory Inc |
| Соотв. RoHS | Да |
| Memory size bits | 4194304 |
| Output low current | 2mA |
| Макс. напр. пит. | 5.5V |
| Мин. напр. пит. | 2.7V |
| Организация памяти | 524288 words x 8 bits |
| Output high current | -1mA |
| Read cycle time min | 55ns |
| Макс. ток дежурного режима | 50µA |
| Terminal voltage max | 6.5V |
| Terminal voltage min | -0.5V |
| Write cycle time min | 55ns |
| Примечание | 512K x 8, 55ns, |
| Dc output current max | 50mA |
| Входная емкость макс. | 6pF |
| Раб. ток макс. | 60mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W |
| Write pulse width min | 45ns |
| Address setup time min | 0ns |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Типовое питание | 3.0V |
| Address access time max | 55ns |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Типовой ток в режиме ожидания | 4µA |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Write recovery time min | 0ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. ток утечки входа | 1µA |
| Operating current typical | 30mA |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Data retention voltage min | 1.5V |
| Макс. ток утечки | 1µA |
| Write to output high z max | 20ns |
| Chip enable access time max | 55ns |
| Input output capacitance max | 8pF |
| Описание (англ.) | SRAM 4MBIT 55NS 32DIP |
| Output enable access time max | 30ns |
| Data to write time overlap min | 25ns |
| Chip enable to end of write min | 50ns |
| Chip enable to output low z min | 10ns |
| Address valid to end of write min | 50ns |
| Chip disable to output high z max | 20ns |
| Input low voltage max 2 7 to 4 5V | 0.6V |
| Input low voltage max 4 5 to 5 5V | 0.8V |
| Output enable to output low z min | 5ns |
| Input high voltage min 2 7 to 4 5V | 2.2V |
| Input high voltage min 4 5 to 5 5V | 2.4V |
| Output active from end of write min | 5ns |
| Output disable to output high z max | 20ns |
| Output hold from address change min | 10ns |
| Data hold from end of write time min | 0ns |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?