+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

микросхема AS6C1008-55TIN

Артикул:1254814
У поставщика
ПроизводительALLIANCE MEMORY
У поставщиков
425 шт.
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:425 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1917,84
Описание

Микросхема статической памяти (SRAM) AS6C1008-55TIN от Alliance Memory. Организация памяти — 128K x 8 бит, корпус с выводами для монтажа в отверстия. Отличается низким энергопотреблением и широким диапазоном питающих напряжений, что делает её пригодной для батарейного питания. Применяется в промышленной электронике, системах управления и устройствах хранения данных.

Технические характеристики
TechnologySRAM - Asynchronous
Access Time55 ns
Memory Size1Mbit
Memory TypeVolatile
Memory FormatSRAM
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply2.7V ~ 5.5V
ОписаниеIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Memory Organization128K x 8
DigiKey ProgrammableNot Verified
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page55ns

Заметили ошибку в описании или параметрах?