Документация
AS4C16M16SA-6TIN, микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54
У поставщика
ПроизводительALLIANCE Mem.
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 83 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 672,75 |
| от 10 | 344,10 |
Описание
Микросхема памяти SDRAM от Alliance Memory. Объем 256 Мбит, частота 166 МГц, напряжение питания 3.3 В. Выполнена в корпусе TSOP II с 54 выводами для поверхностного монтажа. Подходит для промышленной автоматики, сетевого оборудования и встраиваемых систем.
Технические характеристики
| Корпус | 54-pin 400 mil plastic TSOP II |
| Напряжение, В | 3.3V ±0.3V |
| Тип монтажа | SMD |
| Частота | 166MHz |
| Интерфейс | LVTTL |
| Burst type | Sequential or Interleaved |
| Cas latency | 2 or 3 |
| Объем памяти | 256Mbit |
| Burst length | 1, 2, 4, 8, or full page |
| Организация | 16M x 16 bit |
| Тип упаковки | TSOP II |
| Self refresh | Да |
| Кол-во выводов | 54 |
| Refresh cycles | 8192 cycles / 32ms |
| Number of banks | 4 |
| Темп. диапазон | -40°C to 105°C |
| Row cycle time min | 60ns |
| Row active time min | 42ns |
| Clock cycle time min | 6ns |
| Power supply tolerance | ±0.3V |
| Access time from clock max | 5ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?