Документация
ОЗУ статически-динамическое 256Мбит 16Mx16 питание 3.3В 54-Pin TSOP-II лоток
У поставщика
ПроизводительALLIANCE
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
1 080 шт.
Норм. уп.: 108
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 080 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 108
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 868,05 |
| от 11 | 832,30 |
| от 21 | 808,38 |
| от 41 | 787,34 |
| от 81 | 773,11 |
Описание
ALLIANCE AS4C16M16SA-6TIN — это статически-динамическое ОЗУ (SDRAM) объёмом 256 Мбит с организацией 16Mx16. Работает при напряжении питания 3.3 В, выпускается в корпусе TSOP-54. Подходит для применения в промышленной автоматике, сетевом оборудовании и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Плотность | 256Mbit |
| Корпус | 54-Pin 400 mil plastic TSOP II |
| Упаковка | лоток |
| TRC min | 60ns |
| Напряжение, В | 3,3 |
| Тип монтажа | SMD |
| TRAS min | 42ns |
| Частота | 166MHz |
| Интерфейс | LVTTL |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 54 |
| Burst type | Sequential or Interleaved |
| Cas latency | 2 or 3 |
| Описание | 256Mbit synchronous DRAM (SDRAM), 16M x 16 |
| Тип памяти | SDRAM |
| Артикул | AS4C16M16SA-6TIN |
| Auto refresh | Да |
| Burst length | 1, 2, 4, 8, or full page |
| Без галогенов | Да |
| Организация | 16M word x 16-bit x 4 banks |
| Self refresh | Да |
| Auto precharge | Да |
| Cke power down | Да |
| Refresh cycles | 8192 refresh cycles/32ms |
| Напряжение питания | 3.3V ±0.3V |
| Dq supply voltage | 3.3V ±0.3V |
| Темп. диапазон | -40~105°C |
| Aec q100 compliant | Да |
| Clock cycle time min | 6ns |
| Тип упаковки | Tray (палетта) |
| Access time from clock max | 5ns |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 105°C |
| Описание (англ.) | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray |
Заметили ошибку в описании или параметрах?