Документация
Светодиоды дискретные APTF1616SEEZGQBDC
У поставщика
ПроизводительKINGBRIGHT
КатегорияСветодиоды круглые
У поставщиков
2 903 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 395 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 66,03 |
| от 61 | 60,82 |
| от 101 | 57,89 |
| от 167 | 55,57 |
| от 281 | 53,79 |
Склад 13
В наличии:508 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 76,33 |
| от 28 | 70,64 |
| от 55 | 66,00 |
| от 110 | 62,53 |
| от 220 | 59,94 |
Описание
Светодиод дискретный APTF1616SEEZGQBDC производства Kingbright представляет собой многоцветный SMD-компонент. Устройство объединяет в одном корпусе излучатели красного, зеленого и синего цвета, что позволяет формировать широкую цветовую палитру, включая белый. Благодаря компактному типоразмеру подходит для плотного монтажа в портативной электронике, индикаторах и декоративной подсветке.
Технические характеристики
| Blue | Материал: InGaN; Ёмкость: 100 pF; Цвет излучения: Синий; Пиковая длина волны: 460 nm; Доминирующая длина волны: 465 nm; Макс. прямое напряжение: 4 V; Типовое прямое напряжение: 3.3 V; Макс. обратное напряжение: 5 V; Макс. рассеиваемая мощность: 120 mW; Постоянный прямой ток макс.: 30 mA; Пиковый прямой ток макс.: 150 mA; Reverse current max at 5V: 50 µA; Spectral bandwidth 50 percent: 25 nm; Luminous intensity min at 20mA: 40 mcd; Luminous intensity typ at 20mA: 70 mcd; Тепловое сопротивление переход-среда: 790 °C/W; Electrostatic discharge threshold hbm: 250 V; Temperature coefficient forward voltage: -3 mV/°C; Temperature coefficient peak wavelength: 0.04 nm/°C; Thermal resistance junction solder point: 650 °C/W; Temperature coefficient dominant wavelength: 0.03 nm/°C |
| Green | Материал: InGaN on Sapphire substrate; Ёмкость: 45 pF; Цвет излучения: Зелёный; Пиковая длина волны: 515 nm; Доминирующая длина волны: 525 nm; Макс. прямое напряжение: 4.1 V; Типовое прямое напряжение: 3.3 V; Макс. обратное напряжение: 5 V; Макс. рассеиваемая мощность: 102.5 mW; Постоянный прямой ток макс.: 25 mA; Пиковый прямой ток макс.: 150 mA; Reverse current max at 5V: 50 µA; Spectral bandwidth 50 percent: 35 nm; Luminous intensity min at 20mA: 120 mcd; Luminous intensity typ at 20mA: 280 mcd; Тепловое сопротивление переход-среда: 790 °C/W; Electrostatic discharge threshold hbm: 450 V; Temperature coefficient forward voltage: -3 mV/°C; Temperature coefficient peak wavelength: 0.05 nm/°C; Thermal resistance junction solder point: 650 °C/W; Temperature coefficient dominant wavelength: 0.03 nm/°C |
| Тип монтажа | SMD |
| Цвет | Зеленый/Синий |
| Hyper red | Материал: AlGaInP on GaAs substrate; Ёмкость: 25 pF; Цвет излучения: Hyper Red; Пиковая длина волны: 630 nm; Доминирующая длина волны: 621 nm; Макс. прямое напряжение: 2.5 V; Типовое прямое напряжение: 2 V; Макс. обратное напряжение: 5 V; Макс. рассеиваемая мощность: 75 mW; Постоянный прямой ток макс.: 30 mA; Пиковый прямой ток макс.: 195 mA; Reverse current max at 5V: 10 µA; Spectral bandwidth 50 percent: 20 nm; Luminous intensity min at 20mA: 55 mcd; Luminous intensity typ at 20mA: 110 mcd; Тепловое сопротивление переход-среда: 780 °C/W; Electrostatic discharge threshold hbm: 3000 V; Temperature coefficient forward voltage: -2 mV/°C; Temperature coefficient peak wavelength: 0.13 nm/°C; Thermal resistance junction solder point: 640 °C/W; Temperature coefficient dominant wavelength: 0.06 nm/°C |
| Тип линзы | Water Clear |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | 1616 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Диаметр | 1.6 мм |
| Количество в упаковке | 2000 pcs/reel |
| Package thickness | 0.7 mm |
| Размеры упаковки | 1.6 x 1.6 mm |
| Прямой ток | 20 мА |
| Viewing angle 2θ1/2 | 130° |
| Макс. темп. перехода | 115 °C |
| Диап. темп. хр. | -40 to +85 °C |
| Уровень чувствительности к влаге | 3 |
| Диап. раб. темп. | -40 to +85 °C |
| Reflow soldering passes max | 2 |
| Forward current test condition | 20 mA |
| Прямое напряжение | 3.3 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?