
Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 5 А, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительSinopower
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
889 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:889 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 44 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 16,15 |
| от 45 | 14,77 |
| от 90 | 13,48 |
| от 180 | 12,51 |
| от 359 | 11,65 |
Описание
Сборка из двух P-канальных полевых транзисторов от Sinopower. Компонент рассчитан на напряжение 30 В, ток до 5 А и мощность 2 Вт, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для управления нагрузкой в цепях питания и коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOP-8 |
| Компонент | APM4953K |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Описание | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SO-8 |
| Защита от ЭСР | Да |
| Способ монтажа | SMD |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 2.5nC |
| Вх. емкость | 625pF |
| Полный заряд затвора | 11.6nC |
| Время нарастания | 12ns |
| Заряд затвор-исток | 1.3nC |
| Количество каналов | 2 |
| Выходная емкость | 100pF |
| Время спада | 6ns |
| Время задержки включения | 6ns |
| Время задержки выключения | 25ns |
| Current drain pulsed | -20A |
| Ширина корпуса | 3.8-4.0mm |
| Макс. высота | 1.75mm |
| Напр. диода | -0.8V |
| Время обратного восстановления | 14ns |
| Длина корпуса | 4.8-5.0mm |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Power dissipation total | 2W |
| Заряд обратного восстановления | 5nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Current drain continuous | -4.9A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Voltage drain source max | -30V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xP-channel, 30V 5A 2W |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Drain source on resistance at 10V | 53mΩ |
| Drain source on resistance at 4.5V | 80mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?