Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5 А, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительAPEC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 140 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 140 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 28 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,86 |
| от 81 | 23,38 |
| от 161 | 21,34 |
| от 321 | 19,78 |
| от 1 000 | 18,63 |
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от APEC. Компонент рассчитан на напряжение 60 В, ток до 5 А и мощность 2 Вт, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для схем управления питанием и коммутации нагрузок в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 5.5 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Описание | Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Артикул | AP9971GM-HF |
| Channel type | N-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тестовая частота | 1.0MHz |
| Вх. емкость | 1658 pF |
| Полный заряд затвора | 32.5 nC |
| Заряд затвор-исток | 4.9 nC |
| Количество каналов | 2 |
| Выходная емкость | 156 pF |
| Время задержки включения | 9.6 ns |
| Напряжение затвор-исток | +25V |
| Время задержки выключения | 30 ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 30A |
| Время обратного восстановления | 29.2 ns |
| Gate threshold voltage | 1 to 3 V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.016 W/℃ |
| Заряд обратного восстановления | 48 nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Forward on voltage diode | 1.2V |
| Прямая крутизна | 16 S |
| Gate drain miller charge | 8.8 nC |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150 ℃ |
| Gate source leakage current | +100 nA |
| Total power dissipation 25c | 2W |
| Длительный ток стока 25°C | 5A |
| Drain source leakage current | 1 uA |
| Обратная проходная емкость | 109 pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 60V 5A 2W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 3.2A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Drain source leakage current 70c | 25 uA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.06 V/℃ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 ℃/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150 ℃ |
| Static drain source on resistance 10v | 50 mΩ |
| Static drain source on resistance 4 5v | 60 mΩ |
| Thermal resistance junction ambient min copper | 135 ℃/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?