Документация
Сборка транзисторная AP9971GD / N+N-канал, DIP-8, 5А, 60В
У поставщика
ПроизводительAPEC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
210 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:210 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 67,01 |
| от 20 | 65,68 |
| от 50 | 63,89 |
| от 100 | 61,38 |
| от 200 | 58,40 |
Описание
Сборка транзисторная AP9971GD от APEC представляет собой сдвоенный N-канальный полевой транзистор. Компонент выполнен в корпусе DIP-8 и рассчитан на ток до 5 А при напряжении 60 В. Применяется для коммутации нагрузки и в цепях управления питанием в электронных устройствах.
Технические характеристики
| Корпус | PDIP-8 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 5.5 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Размеры | A: 3.60 to 5.40 mm; B: 0.36 to 0.56 mm; C: 0.20 to 0.36 mm; D: 9.00 to 10.20 mm; E: 6.10 to 7.20 mm; L: 3.18 mm min; E: 2.540 BSC; A1: 0.38 mm min; A2: 2.90 to 5.00 mm; B1: 1.10 to 1.80 mm; B2: 0.76 to 1.20 mm; E1: 7.62 to 8.26 mm; E2: 8.30 to 11.00 mm |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Артикул | AP9971GD |
| Channel type | N-Channel |
| Соотв. RoHS | Да |
| Вх. емкость | 1560 pF |
| Полный заряд затвора | 32.5 nC |
| Forward on voltage | 1.2V |
| Заряд затвор-исток | 4.9 nC |
| Выходная емкость | 156 pF |
| Время задержки включения | 9.6 ns |
| Напряжение затвор-исток | +25V |
| Время задержки выключения | 30 ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 20A |
| Время обратного восстановления | 29.2 ns |
| Gate threshold voltage | 1 to 3V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.016 W/℃ |
| Заряд обратного восстановления | 48 nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 7 S |
| Gate drain miller charge | 8.8 nC |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150 ℃ |
| Gate source leakage current | +100 nA |
| Total power dissipation 25c | 2W |
| Длительный ток стока 25°C | 5A |
| Continuous drain current 70c | 3.2A |
| Drain source leakage current | 1 uA |
| Обратная проходная емкость | 110 pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 60V 5A 2W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Drain source leakage current 70c | 25 uA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.06 V/℃ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 ℃/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150 ℃ |
| Static drain source on resistance vgs10v | 50 mΩ |
| Static drain source on resistance vgs4 5v | 60 mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?