Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 75А 89Вт
У поставщика
ПроизводительAPEC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
71 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:71 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 78,38 |
| от 29 | 72,51 |
| от 57 | 67,71 |
| от 100 | 64,12 |
| от 300 | 61,44 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от APEC. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 75 А и мощность до 89 Вт. Выпускается в компактном корпусе D-Pak (TO-252). Подходит для цепей управления питанием и защиты от переполюсовки в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 (AP6679GH), TO-251 (AP6679GJ) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 78ns |
| Время нарастания | 35ns |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Чувствительность к ЭСР | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Enhancement mode | Да |
| Вх. емкость | 2870pF (typ), 4590pF (max) |
| Полный заряд затвора | 42nC (typ), 67nC (max) |
| Заряд затвор-исток | 6nC |
| Выходная емкость | 960pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 58ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -300A |
| Время обратного восстановления | 47ns |
| Gate threshold voltage | -1V to -3V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.71W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 43nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 34S |
| Gate drain miller charge | 25nC |
| Package dimensions to 251 | A: 2.20-2.40mm; C: 0.40-0.60mm; D: 6.40-6.80mm; E: 2.30mm; F: 7.00-9.60mm; A1: 0.90-1.50mm; B1: 0.40-0.80mm; B2: 0.60-1.05mm; C1: 0.40-0.60mm; D1: 4.80-5.50mm; E1: 5.40-5.80mm; E2: 1.30-1.70mm |
| Package dimensions to 252 | C: 0.35-0.65mm; D: 6.00-7.00mm; E: 2.30mm; F: 2.20-3.05mm; A2: 1.80-2.80mm; A3: 0.40-0.60mm; B1: 0.40-1.00mm; D1: 4.80-5.90mm; E1: 5.10-6.30mm; E2: 0.50-1.80mm; F1: 0.50-1.20mm |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Total power dissipation 25c | 89W |
| Длительный ток стока 25°C | -75A |
| Drain source leakage current | -1µA |
| Обратная проходная емкость | 740pF |
| Source drain forward voltage | -1.2V |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 75 A, 89 W |
| Непрерывный ток стока 100°C | -50A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.4°C/W |
| Drain source leakage current 125c | -250µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 110°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Static drain source on resistance vgs 10v | 9mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v | 15mΩ |
| Thermal resistance junction ambient pcb mount | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?