Документация
Сборка транзисторная AP4525GEH / N+P-канал, DPАK-4, 15А/12А, 40В
У поставщика
ПроизводительAPEC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 801 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 801 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,45 |
| от 145 | 22,26 |
| от 289 | 20,52 |
| от 577 | 19,02 |
| от 1 154 | 18,02 |
Описание
Сборка транзисторная AP4525GEH от APEC представляет собой силовой ключ с комплементарной парой N+P-канальных MOSFET. Компонент выполнен в корпусе DPAK-4 и рассчитан на токи до 15А (N-канал) и 12А (P-канал) при напряжении 40В. Такая сборка оптимизирована для применения в цепях управления двигателями, DC/DC-преобразователями и схемами защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252-4L |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N+P-Channel |
| N channel | Время спада: 4ns; Время нарастания: 20ns; Gate resistance: 2Ω (typ), 3Ω (max); Заряд сток-затвор: 4nC; Вх. емкость: 580pF (typ), 930pF (max); Полный заряд затвора: 9nC (typ), 14nC (max); Заряд затвор-исток: 1.5nC; Выходная емкость: 100pF; Время задержки включения: 7ns; Gate source leakage: ±30µA; Напряжение затвор-исток: ±16V; Время задержки выключения: 20ns; Напряжение сток-исток: 40V; Импульсный ток стока: 50A; Время обратного восстановления: 20ns; Gate threshold voltage: 1V to 3V; Коэффициент снижения мощности: 0.083W/°C; Заряд обратного восстановления: 15nC; Прямая крутизна: 6S; Total power dissipation 25c: 10.4W; Длительный ток стока 25°C: 15A; Continuous drain current 70c: 12A; Drain source leakage current: 1µA; Обратная проходная емкость: 70pF; Напряжение пробоя сток-исток: 40V; Drain source leakage current 70c: 25µA; Тепловое сопр. переход-корпус: 12°C/W; Source drain diode forward voltage: 1.8V; Тепловое сопротивление переход-среда: 110°C/W; Breakdown voltage temperature coefficient: 0.03V/°C; Static drain source on resistance vgs 10v: 28mΩ; Static drain source on resistance vgs 4 5v: 32mΩ |
| P channel | Время спада: 25ns; Время нарастания: 15ns; Gate resistance: 6Ω (typ), 9Ω (max); Заряд сток-затвор: 5nC; Вх. емкость: 770pF (typ), 1230pF (max); Полный заряд затвора: 9nC (typ), 24nC (max); Заряд затвор-исток: 2nC; Выходная емкость: 165pF; Время задержки включения: 8.5ns; Gate source leakage: ±30µA; Напряжение затвор-исток: ±16V; Время задержки выключения: 27ns; Напряжение сток-исток: -40V; Импульсный ток стока: -50A; Время обратного восстановления: 20ns; Gate threshold voltage: -0.8V to -2.5V; Коэффициент снижения мощности: 0.083W/°C; Заряд обратного восстановления: 16nC; Прямая крутизна: 5S; Total power dissipation 25c: 10.4W; Длительный ток стока 25°C: -12A; Continuous drain current 70c: -10A; Drain source leakage current: -1µA; Обратная проходная емкость: 115pF; Напряжение пробоя сток-исток: -40V; Drain source leakage current 70c: -25µA; Тепловое сопр. переход-корпус: 12°C/W; Source drain diode forward voltage: -1.8V; Тепловое сопротивление переход-среда: 110°C/W; Breakdown voltage temperature coefficient: -0.03V/°C; Static drain source on resistance vgs 10v: 42mΩ; Static drain source on resistance vgs 4 5v: 60mΩ |
| Конфигурация | Dual |
| Чувствительность к ЭСР | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 40V -12/15A 10W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?