Документация
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -12 А/15 А, 10 Вт
У поставщика
ПроизводительAPEC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 104,58 |
| от 9 | 98,79 |
| от 17 | 93,32 |
| от 33 | 89,31 |
| от 65 | 85,62 |
Описание
Сборка из полевых транзисторов APEC AP4511GH объединяет N+P-канальные ключи. Рабочее напряжение 35 В, ток стока -12 А и 15 А, мощность рассеивания 10 Вт. Компонент выполнен в компактном корпусе TO252-4L. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Примечания | N ch p ch same: Да; Pulse width test: <300us, duty cycle <2%; Pulse width limited by max junction temp: Да |
| Корпус | TO252-4L |
| Thermal | T j: -55 to 150°C; T stg: -55 to 150°C; R th ja max: 110 °C/W; R th jc max: 12 °C/W |
| Тип монтажа | SMD |
| N channel | R g: 1.7Ω; T f: 6ns; T r: 7ns; G fs: 13S; Q gd: 6nC; Q gs: 3nC; Q rr: 12nC; T rr: 18ns; V sd: 1.2V; C iss: 1330pF; C oss: 150pF; C rss: 110pF; I gss: ±100nA; Bv dss: 35V; T d on: 12ns; I d 25c: 15A; P d 25c: 10.4W; T d off: 22ns; I d 100c: 9A; V gs max: ±20V; I dss 25c: 1uA; Q g total: 18nC; I dss 150c: 25uA; I dm pulsed: 50A; V gs th max: 3V; V gs th min: 1V; R ds on vgs10v: 30mΩ; R ds on vgs4 5v: 40mΩ; Bv dss temp coeff: 0.03 V/°C; Коэффициент снижения мощности: 0.083 W/°C |
| P channel | R g: 7.5Ω; T f: 7ns; T r: 6ns; G fs: 10S; Q gd: 6nC; Q gs: 2nC; Q rr: 12nC; T rr: 20ns; V sd: -1.2V; C iss: 1100pF; C oss: 165pF; C rss: 130pF; I gss: ±100nA; Bv dss: -35V; T d on: 10ns; I d 25c: -12A; P d 25c: 10.4W; T d off: 26ns; I d 100c: -7A; V gs max: ±20V; I dss 25c: -1uA; Q g total: 19nC; I dss 150c: -25uA; I dm pulsed: -50A; V gs th max: -3V; V gs th min: -1V; R ds on vgs10v: 48mΩ; R ds on vgs4 5v: 70mΩ; Bv dss temp coeff: -0.03 V/°C; Коэффициент снижения мощности: 0.083 W/°C |
| Описание | N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Артикул | AP4511GH |
| Channel type | N+P |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 35V -12/15A 10W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?