+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
AP40T03GH
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28А 31.25Вт

Артикул:776225
У поставщика
ПроизводительAPEC
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
240 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:240 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 34 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 121,07
от 10018,94
от 20017,19
от 40015,86
от 80014,87
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от APEC. Работает при напряжении до 30 В, токе до 28 А и мощности 31,25 Вт, выпускается в корпусе TO-252. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.

Технические характеристики
КорпусTO-252 (DPAK)
Тип монтажаSMD
Время спада5ns typ
Время нарастания62ns typ
Без галогеновДа
КорпусTO-252
Соотв. RoHSДа
Drain current 25c28A
Заряд сток-затвор6nC typ
Вх. емкость655pF typ
On resistance 10v25mΩ max
On resistance 4v545mΩ max
Рассеиваемая мощность31.25W
Полный заряд затвора9nC typ
Drain current 100c18A
Заряд затвор-исток2.5nC typ
Выходная емкость145pF typ
Время задержки включения6ns typ
Время задержки выключения16ns typ
Напряжение сток-исток30V
Импульсный ток стока95A
Forward voltage diode1.3V max
Pulsed source current95A
Напряжение затвор-исток макс.±25V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Прямая крутизна20S typ
Continuous source current28A
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Пороговое напряжение затвора макс.3V
Пороговое напряжение затвора мин.1V
Gate source leakage current±100nA max
Drain source leakage current10μA max
Обратная проходная емкость95pF typ
Описание (англ.)Field-effect transistor, N-channel, 30V 28A
Тепловое сопр. переход-корпус4°C/W
Диапазон темп. перехода-55 to 150°C
Thermal resistance junction ambient pcb62.5°C/W
Thermal resistance junction ambient free air110°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?